Il percorso verso la redditività del settore fonderia di Samsung dipende dalla capacità di attrarre una vasta gamma di clienti per il suo avanzato processo di produzione Gate-All-Around (GAA) a 2 nm. Attualmente, l’Exynos 2600 è il pioniere dei System-on-Chip (SoC) ad essere prodotto in serie utilizzando questa litografia all’avanguardia. In particolare, Tesla ha stretto un’importante partnership multimiliardaria con Samsung nell’ambito di questa iniziativa. Recenti rapporti, tuttavia, evidenziano che due aziende cinesi sono pronte a ordinare i chip GAA a 2 nm di Samsung per i loro prossimi prodotti per il mining di criptovalute, a dimostrazione dei progressi nella strategia di Samsung, sebbene debba ancora affrontare una dura concorrenza da parte del leader del settore TSMC.
Bitmain non è convinta dai chip GAA da 2 nm di Samsung, continua la partnership con TSMC
Secondo la fonte di notizie coreana Hankyung, le due aziende cinesi che si stanno avventurando nell’utilizzo della tecnologia GAA a 2 nm di Samsung sono MicroBT e Canaan. Queste aziende si classificano rispettivamente al secondo e al terzo posto nel settore del mining di criptovalute, mentre Bitmain detiene la prima posizione. Nonostante gli ordini emergenti da MicroBT e Canaan, Bitmain non ha ancora stretto un accordo con Samsung, preferendo mantenere la collaborazione con TSMC. Questa preferenza deriva probabilmente dalla reputazione di TSMC per la puntualità nelle consegne, l’accesso alle tecnologie più recenti e la sua comprovata capacità di gestire le sfide produttive, inclusi gli elevati tassi di rendimento, un’area in cui la nuova tecnologia GAA di Samsung necessita ancora di validazione.
La fase di produzione per gli ordini di MicroBT è iniziata, mentre Canaan punta ad avviare la produzione del suo silicio iniziale entro l’inizio del 2026, con consegne previste per la seconda metà del prossimo anno. Gli ordini di entrambe le aziende saranno realizzati presso lo stabilimento S3 di Samsung a Hwaseong, nella provincia di Gyeonggi.
Gli ordini attuali rappresentano circa il 10% della capacità produttiva totale di Samsung per la tecnologia a 2 nm, che opera a un ritmo di circa 2.000 wafer da 300 mm (12 pollici) al mese. Sebbene questo volume possa sembrare modesto, sottolinea l’impegno di Samsung a competere direttamente con TSMC. L’azienda sta attivamente perseguendo qualsiasi opportunità per espandere la propria base clienti per questa litografia all’avanguardia.
In un precedente aggiornamento, si segnalava che campioni dello Snapdragon 8 Elite Gen 5, realizzati con processo a 2 nm, erano stati inviati a Qualcomm per i test. Si prevede che una strategia di doppio approvvigionamento che coinvolga Samsung potrebbe concretizzarsi solo con il lancio dello Snapdragon 8 Elite Gen 6, previsto per la fine del 2026. Per tenere il passo con TSMC, Samsung avrebbe completato la progettazione fondamentale del suo processo GAA a 2 nm di seconda generazione e starebbe inoltre procedendo verso lo sviluppo di una terza iterazione, denominata SF2P+.
La strategia produttiva di Samsung per la tecnologia GAA a 2 nm include piani per il suo stabilimento di Taylor, in Texas. Rapporti recenti indicano che ASML sta formando un team per facilitare l’installazione delle apparecchiature necessarie per la produzione di wafer di nuova generazione. Con questa configurazione, si prevede che lo stabilimento texano raggiungerà una capacità produttiva superiore a 15.000 wafer al mese fino al 2027.
Per maggiori dettagli, fare riferimento alla fonte: Hankyung
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