Samsung a réalisé des progrès significatifs avec l’introduction d’un dissipateur thermique innovant dans la puce Exynos 2600, améliorant ainsi sa stabilité thermique. Cependant, le géant technologique s’apprête à franchir une nouvelle étape avec la future puce Exynos 2700. Cette nouvelle version exploitera une architecture SBS (Side-by-Side) de pointe, associée à une conception de dissipateur thermique avancée, pour obtenir une amélioration remarquable de la bande passante mémoire et des performances globales.
Puce Exynos 2700 de Samsung : architecture SBS et innovation en matière de dissipateur thermique
La puce Exynos 2700 exploitera le procédé SF2P de nouvelle génération de Samsung, qui s’appuie sur la technologie GAA (Gate-All-Around) 2 nm précédemment utilisée dans l’Exynos 2600. Pour rappel, la technologie GAA repose sur une conception de transistor 3D où la grille entoure le canal – constitué de nanofeuilles empilées verticalement – de tous côtés. Cette configuration améliore le contrôle électrostatique et réduit la tension requise. De ce fait, le procédé SF2P devrait offrir une amélioration des performances de 12 % et une réduction de la consommation d’énergie de 25 % par rapport aux générations précédentes.
Néanmoins, la transformation la plus significative de la puce Exynos 2700 réside dans son architecture. L’Exynos 2600 utilise une conception sandwich classique, avec la RAM empilée sur le système sur puce (SoC) et un dissipateur thermique en cuivre, appelé bloc de chemin thermique (HPB), placé au-dessus de la RAM. Bien que cette configuration offre une efficacité thermique acceptable, elle a pour conséquence de piéger la chaleur entre le SoC et la RAM, ce qui peut affecter les performances.
À l’inverse, l’Exynos 2700 exploitera la technologie FOWLP (Fan-out Wafer Level Packaging), permettant de placer la RAM directement au niveau de la plaquette, à proximité du SoC. Cette intégration présente plusieurs avantages. Tout d’abord, des interconnexions plus courtes devraient augmenter la bande passante mémoire d’environ 30 à 40 %, tout en améliorant l’efficacité énergétique. De plus, le dissipateur thermique HPB couvrira efficacement le SoC et la RAM, améliorant considérablement la stabilité thermique de la puce.
Résultats de la limitation thermique du processeur : l’Exynos 2600 est plus stable que le 8 Elite Gen 5 (ces résultats proviennent uniquement de l’interface Samsung One UI).pic.twitter.com/QEwJz6S4aL
— S (@SPYGO19726) 25 avril 2026
Actuellement, la puce Exynos 2600 a démontré une stabilité thermique supérieure à celle du Snapdragon 8 Elite Gen 5 de Qualcomm. Grâce aux progrès à venir de l’Exynos 2700, Samsung devrait renforcer encore davantage cet avantage concurrentiel, ouvrant la voie à des performances révolutionnaires dans le domaine des technologies mobiles.
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