Goldman Sachs rzuca wyzwanie Wall Street: Gromadzenie pamięci DRAM przez Apple nie wpłynie na marże pomimo popytu na poziomie 2,4 eksabajta

Goldman Sachs rzuca wyzwanie Wall Street: Gromadzenie pamięci DRAM przez Apple nie wpłynie na marże pomimo popytu na poziomie 2,4 eksabajta

Kiedy analitycy branżowi zaczynają donosić, że Apple aktywnie zabezpiecza rynek układów DRAM, warto zwrócić na to uwagę. Obserwacja ta znalazła odzwierciedlenie w wielu źródłach, zwracając uwagę na znaczącą strategię przejęć Apple na rynku pamięci.

Goldman Sachs ocenia strategię przejęcia DRAM przez Apple

Najnowsze spostrzeżenia Michaela Nga, analityka Goldman Sachs, wskazują na stosunkowo pozytywne perspektywy dotyczące wpływu szeroko zakrojonych zakupów pamięci DRAM przez Apple na marże zysku firmy. W przeciwieństwie do innych analityków, którzy wyrażali obawy, Ng uważa, że ​​obawy dotyczące potencjalnej kompresji marży są prawdopodobnie przesadzone.

Na początku kwietnia zwróciliśmy uwagę na pogłoski z łańcucha dostaw sugerujące, że Apple kupuje „wszystkie dostępne na rynku mobilne pamięci DRAM”, aby utrudnić konkurencji dostęp do niezbędnych zasobów pamięci. Ta strategia wydaje się zgodna z ambitnym celem Apple, jakim jest sprzedaż 240 milionów iPhone’ów w najbliższej przyszłości, na co zwróciła uwagę firma Daishin Securities w swoich ostatnich analizach.

Według Nga, pomimo zwiększonego popytu na mobilne pamięci DRAM, Apple prawdopodobnie odnotuje znaczny wzrost przychodów w liniach produktów iPhone i Mac. Przypisuje on tę solidną pozycję częściowo kwitnącemu ekosystemowi usług, w tym iCloud+, AppleCare+, oraz przychodom z reklam generowanym przez platformy takie jak App Store i Apple Maps.

Aby zrozumieć skalę zapotrzebowania Apple na pamięć, wystarczy wziąć pod uwagę, że firma ma zamiar wykorzystać aż 2, 4 eksabajta pamięci LPDDR5 tylko w samych iPhone’ach w bieżącym roku. Ta oszałamiająca liczba podkreśla ogromny wpływ firmy i jej zapotrzebowanie na rynku półprzewodników.

Źródło i obrazy

Dodaj komentarz

Twój adres e-mail nie zostanie opublikowany. Wymagane pola są oznaczone *