O ressurgimento da Samsung no setor de memória de alta largura de banda (HBM) é notável, como evidenciado pelo recente anúncio de sua tecnologia HBM4, que oferece velocidade excepcional e já está disponível para uso comercial.
Revelando os aprimoramentos da tecnologia HBM4 da Samsung
A competição em torno da HBM4 se intensificou, com a Samsung aprimorando significativamente seus produtos. Em um anúncio inovador, a gigante sul-coreana de tecnologia revelou que suas unidades de memória HBM4 estão entre as primeiras a serem comercializadas, construídas com uma DRAM de 1 núcleo de 6ª geração e um chip lógico de 4 nm, utilizando componentes totalmente desenvolvidos internamente.
Um dos destaques da HBM4 da Samsung é sua notável velocidade de transferência de dados, com desempenho padrão atingindo até 11, 7 Gbps — um impressionante aumento de 46% em comparação com o padrão anterior de 8 Gbps. Notavelmente, após overclocking, as velocidades podem chegar a 13 Gbps, atendendo a um requisito crucial estabelecido pela NVIDIA para sua tecnologia. Além disso, a Samsung lançou uma oferta baseada em uma arquitetura de 12 camadas, com planos para um módulo HBM4 de 16 camadas em desenvolvimento, o que pode aumentar a capacidade por módulo para expressivos 48 GB.

Embora a Samsung não tenha divulgado o cliente específico por trás dessa implementação, sabe-se que a NVIDIA é a única provedora de infraestrutura que utiliza essa tecnologia de memória avançada, particularmente em sua arquitetura de IA Vera Rubin. Com o sistema Vera Rubin priorizando baixa latência e tempos de resposta ideais, o desempenho da memória é um foco crítico. Essa parceria posiciona a solução HBM4 da Samsung como um fator-chave para os avanços de memória da NVIDIA, especialmente no que diz respeito a melhorias de capacidade e largura de banda.
Olhando para o futuro, a Samsung prevê um aumento de três vezes na sua receita com HBM até 2025 e está de olho no lançamento do HBM4E no segundo semestre de 2026.
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