Intel prezentuje prototyp pamięci ZAM z architekturą Z-Angle, która zapewnia lepszą wydajność termiczną i obliczeniową

Niedawno innowacyjna pamięć Z-Angle Memory (ZAM) firmy Intel zyskała duże zainteresowanie, ponieważ firma wraca na rynek pamięci. Po nieoczekiwanym ujawnieniu prototypu, zespół Team Blue wygłosił śmiałe oświadczenia dotyczące potencjału tej technologii.

Intel i partnerzy są pionierami pamięci Z-Angle, która ma sprostać wyzwaniom termicznym i obliczeniowym

Po dekadach nieobecności w sektorze pamięci DRAM, Intel powraca na scenę dzięki przełomowemu partnerstwu z Saimemory, spółką zależną SoftBank. Ich wspólny projekt wprowadza pamięć Z-Angle (ZAM), mającą na celu przełamanie obecnego monopolu pamięci o dużej przepustowości (HBM).Chociaż szczegóły dotyczące pamięci ZAM były już wcześniej omawiane, Intel zaprezentował prototyp podczas konferencji Intel Connection Japan 2026, jak donosi PCWatch. Ta inauguracyjna prezentacja przede wszystkim podkreślała, jak architektura ZAM może złagodzić problemy z wydajnością i ograniczenia termiczne, z którymi często borykają się istniejące technologie.

Slajd prezentacji zatytułowany „AI Supercycle” podkreśla strategiczne partnerstwo między firmami Intel, SoftBank i SAIMEMORY, — Źródła obrazów: PCWatch

W wydarzeniu wzięli udział kluczowi przedstawiciele, tacy jak Joshua Fryman, dyrektor techniczny Intel Government Technologies, oraz Makoto Onho, dyrektor generalny Intel Japan. Do tej pory ZAM był ograniczony do kręgów akademickich i komunikatów prasowych; jednak szybkie zaprezentowanie przez Intela działającego prototypu stanowi ważny kamień milowy. Godną uwagi cechą tej technologii pamięci jest jej schodkowa topologia połączeń, która wykorzystuje połączenia diagonalne w stosie rdzeni, w przeciwieństwie do tradycyjnego wiercenia pionowego. Intel twierdzi, że takie podejście poprawia zarządzanie temperaturą w ZAM, czyniąc go atrakcyjną opcją dla zaawansowanych obliczeń.

Schemat z etykietą zatytułowaną „ZAM (pamięć Z-Angle)” przedstawia takie elementy, jak „połączenia miedziane Z-Angle”, „układana pamięć DRAM” — Źródło obrazu: Wccftech (wygenerowane przez sztuczną inteligencję)

Chociaż szczegóły zaangażowania firmy Intel w inicjatywę ZAM są wciąż doprecyzowywane, materiały promocyjne firmy wskazują, że firma podejmie się obowiązków związanych z „początkowymi inwestycjami i decyzjami strategicznymi”.Jeśli chodzi o przewidywane zalety ZAM w porównaniu z HBM, wstępne dyskusje sugerują następujące usprawnienia:

O 40-50% mniejsze zużycie energii
Usprawniona produkcja dzięki połączeniom kątowym Z
Zwiększona pojemność pamięci na chip (potencjalnie do 512 GB)

Perspektywa wejścia Intela w nowy segment jest niewątpliwie ekscytująca. Obecność prominentnych dyrektorów na konferencji wydaje się być obiecująca, a firma ma szansę wywrzeć znaczący wpływ na rynek pamięci HBM, potencjalnie zmieniając krajobraz technologii pamięci.

Źródło i obrazy