삼성 엑시노스 2700 SBS 아키텍처, 스냅드래곤 대비 성능 향상 및 메모리 대역폭 30~40% 증가 예상

삼성 엑시노스 2700 SBS 아키텍처, 스냅드래곤 대비 성능 향상 및 메모리 대역폭 30~40% 증가 예상

삼성은 엑시노스 2600 칩에 혁신적인 방열판을 도입하여 열 안정성을 크게 향상시키는 등 상당한 발전을 이루었습니다.하지만 이제 삼성은 곧 출시될 엑시노스 2700 칩을 통해 또 한 번의 도약을 준비하고 있습니다.이 새로운 칩은 최첨단 사이드 바이 사이드(SBS) 아키텍처와 향상된 방열판 설계를 결합하여 메모리 대역폭과 전반적인 성능을 획기적으로 향상시킬 것입니다.

삼성의 엑시노스 2700 칩: SBS 아키텍처 및 방열판 혁신

엑시노스 2700 칩은 삼성의 차세대 SF2P 공정을 활용할 예정이며, 이 공정은 엑시노스 2600에 사용되었던 2nm 게이트 올 어라운드(GAA) 기술을 기반으로 합니다.GAA 기술은 게이트가 수직으로 쌓인 나노시트로 구성된 채널을 사방에서 둘러싸는 3D 트랜지스터 설계를 특징으로 합니다.이러한 구조는 정전기 제어를 향상시키고 전압 요구량을 줄입니다.결과적으로, 차세대 SF2P 공정은 이전 세대 대비 성능이 12% 향상되고 에너지 소비는 25% 감소할 것으로 예상됩니다.

하지만 Exynos 2700 칩의 가장 중요한 변화는 아키텍처 레이아웃에 있습니다. Exynos 2600은 시스템 온 칩(SoC) 위에 RAM을 쌓고 그 위에 구리 기반 방열판인 히트 패스 블록(HPB)을 배치하는 전통적인 샌드위치 구조를 채택했습니다.이러한 구성은 열 효율은 괜찮지만, SoC와 RAM 사이에 열이 갇혀 성능 저하를 초래할 수 있습니다.

반면, Exynos 2700은 FOWLP(Fan-out Wafer Level Packaging) 기술을 활용하여 RAM을 웨이퍼 레벨에서 SoC 옆에 배치할 수 있습니다.이러한 통합은 여러 가지 이점을 제공합니다.우선, 인터커넥트 길이가 짧아져 메모리 대역폭이 약 30~40% 향상될 것으로 예상되며, 전력 효율 또한 개선됩니다.또한, HPB 방열판이 SoC와 RAM을 효과적으로 덮어 칩의 열 안정성을 크게 향상시킵니다.

현재 엑시노스 2600 칩은 퀄컴 스냅드래곤 8 엘리트 5세대보다 우수한 열 안정성을 보여주고 있습니다.삼성은 향후 출시될 엑시노스 2700의 기술 발전을 통해 이러한 경쟁 우위를 더욱 강화하여 모바일 기술 분야에서 획기적인 성능을 선보일 것으로 기대됩니다.

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