La tecnologia di incollaggio ibrido sta rivoluzionando il panorama della produzione di chip di memoria, consentendo l’incollaggio diretto degli strati di memoria senza la necessità dei tradizionali bump. Questo approccio innovativo si traduce in velocità di elaborazione ed efficienza migliorate grazie alla riduzione della generazione di calore. In una recente conferenza intitolata “Beyond HBM — Core Technologies of Advanced Packaging: From Next-Generation Substrates to Modules”, tenutasi in Corea del Sud, Kim Jong-hoon, responsabile tecnico di We Hynix, ha presentato questi progressi, come riportato da The Elec.
L’emergere di tecnologie di packaging all’avanguardia per i chip di memoria HBM4 di nuova generazione
I moduli di memoria ad alta larghezza di banda (HBM) sono realizzati impilando più chip di memoria, che tradizionalmente vengono interconnessi tramite bump in alluminio o rame. Attualmente, i chip di memoria sono generalmente composti da 8 a 12 strati sovrapposti. Tuttavia, con l’aumento della domanda di velocità, prestazioni e capacità sempre maggiori, le nuove generazioni di moduli di memoria, come HBM4 e HBM5, stanno spingendo al limite il numero di strati, mantenendo al contempo le dimensioni fisiche del package.
È qui che il bonding ibrido diventa fondamentale. Eliminando le sporgenze che collegano i chip di memoria, i produttori possono impilare in modo efficiente ulteriori strati in un package di dimensioni equivalenti, ottimizzando così spazio e prestazioni.
Progressi significativi nel mercato HBM: l’ultimo annuncio di We Hynix
Kim Jong-hoon ha inoltre osservato: “Attualmente ci stiamo concentrando sul miglioramento della resa produttiva per garantire che soddisfi gli standard richiesti per la produzione di massa. Sebbene non possiamo divulgare cifre precise sulla resa, i nostri progressi sono significativamente più avanzati rispetto ai tentativi precedenti.”
Continuo ricorso a tecniche di sottootturazione avanzate fino a quando la tecnica di incollaggio ibrido non sarà pienamente matura.
Insieme al bonding ibrido, We Hynix utilizza anche la tecnologia MR-MUF, che mira anch’essa a ridurre al minimo lo spazio tra i chip di memoria. A differenza del bonding ibrido, questo metodo continua a incorporare bump di rame, ma prevede il riscaldamento dell’intero stack di chip e il successivo riempimento di eventuali spazi vuoti con un materiale di riempimento.
Sebbene i chip di memoria HBM siano stati prevalentemente associati agli ambienti informatici aziendali, i vantaggi dell’ibridazione si estendono anche alle applicazioni consumer grazie a notevoli miglioramenti delle prestazioni. Ciononostante, a causa dell’elevata domanda proveniente dai data center, si prevede che questi chip avanzati rimarranno costosi e potenzialmente scarsi sul mercato.
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