Si prevede che l’architettura SBS del Samsung Exynos 2700 supererà le prestazioni dello Snapdragon e aumenterà la larghezza di banda della memoria del 30-40%.

Si prevede che l’architettura SBS del Samsung Exynos 2700 supererà le prestazioni dello Snapdragon e aumenterà la larghezza di banda della memoria del 30-40%.

Samsung ha compiuto progressi significativi con l’introduzione di un innovativo dissipatore di calore nel chip Exynos 2600, migliorandone la stabilità termica. Tuttavia, il colosso tecnologico è pronto a fare un ulteriore passo avanti con il prossimo chip Exynos 2700. Questa nuova iterazione utilizzerà un’architettura side-by-side (SBS) all’avanguardia, abbinata a un design avanzato del dissipatore di calore, per ottenere un notevole miglioramento della larghezza di banda della memoria e delle prestazioni complessive.

Chip Exynos 2700 di Samsung: architettura SBS e innovazione nel dissipatore di calore

Il chip Exynos 2700 sfrutterà il processo SF2P di nuova generazione di Samsung, che si basa sulla tecnologia Gate-All-Around (GAA) a 2 nm precedentemente impiegata nell’Exynos 2600. Per contestualizzare, la tecnologia GAA presenta un design del transistor 3D in cui il gate circonda il canale, costituito da nanosheet impilati verticalmente, su tutti i lati. Questa configurazione migliora il controllo elettrostatico e riduce i requisiti di tensione. Di conseguenza, si prevede che il prossimo processo SF2P offra un miglioramento delle prestazioni del 12% e una riduzione del consumo energetico del 25% rispetto alle generazioni precedenti.

Tuttavia, la trasformazione più significativa del chip Exynos 2700 risiede nella sua architettura. L’Exynos 2600 utilizza un design tradizionale a sandwich, con la RAM impilata sopra il system-on-chip (SoC) e un dissipatore di calore a base di rame, noto come Heat Path Block (HPB), posizionato sopra la RAM. Sebbene questa configurazione offra una discreta efficienza termica, intrappola involontariamente il calore tra il SoC e la RAM, potenzialmente influenzando le prestazioni.

Al contrario, l’Exynos 2700 utilizzerà la tecnologia Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP), che consente di posizionare la RAM accanto al SoC a livello di wafer. Questa integrazione offre diversi vantaggi. In primo luogo, si prevede che le interconnessioni più corte aumenteranno la larghezza di banda della memoria di circa il 30-40%, migliorando al contempo l’efficienza energetica. Inoltre, il dissipatore di calore HPB coprirà efficacemente sia il SoC che la RAM, migliorando significativamente la stabilità termica del chip.

Attualmente, il chip Exynos 2600 ha dimostrato una stabilità termica superiore rispetto allo Snapdragon 8 Elite Gen 5 di Qualcomm. Con i prossimi progressi dell’Exynos 2700, Samsung dovrebbe rafforzare ulteriormente questo vantaggio competitivo, ponendo le basi per prestazioni rivoluzionarie nella tecnologia mobile.

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