Samsung ha fatto notizia producendo il primo modulo DRAM autonomo al mondo utilizzando una tecnologia di processo inferiore alla soglia dei 10 nm.
La rivoluzionaria tecnologia DRAM sub-10nm di Samsung aumenta la densità e utilizza materiali innovativi.
L’industria delle memorie DRAM si è tradizionalmente basata su uno standard tecnologico a 10 nm, che comprende diverse iterazioni come 1x, 1y, 1a, 1b, 1c e 1d. Tuttavia, Samsung sta aprendo la strada a un nuovo approccio con la sua prossima tecnologia di processo 10a, destinata a scendere al di sotto del limite ufficiale dei 10 nm.
Samsung Electronics ha prodotto il primo chip di lavoro DRAM al mondo con una tecnologia a pochi nanometri. Secondo quanto riportato, l’azienda prevede di garantire rapidamente la resa produttiva regolando le condizioni di processo in base al chip di lavoro.
Secondo fonti del settore, il 24 Samsung Electronics avrebbe confermato la funzionalità di un chip durante il processo di ispezione delle caratteristiche del die dopo la produzione di wafer con il processo 10a il mese scorso. Questo è il risultato della prima applicazione della struttura a celle quadrate 4F e del processo a transistor a canale verticale (VCT).
Si prevede che la nuova tecnologia di processo 10a raggiunga dimensioni comprese tra 9, 5 nm e 9, 7 nm, segnando un importante traguardo per il settore in quanto primo processo sub-10 nm. Gli elementi trasformativi che rendono possibile questo progresso includono l’innovativa “struttura a celle quadrate 4F” e la tecnica del transistor a canale verticale (VCT).
Samsung punta a completare lo sviluppo della sua tecnologia DRAM 10a entro quest’anno, con l’obiettivo di avviare la produzione di massa entro il 2028. I miglioramenti introdotti con la 10a costituiranno la base per le future iterazioni, in particolare la 10b e la 10c, mentre si prevede che la versione 10d passerà alla tecnologia DRAM 3D entro il 2029-2030.
Attualmente, la maggior parte dei prodotti DRAM utilizza una struttura 6F, che si traduce in una forma rettangolare di 3Fx2F. Il passaggio a una struttura 4F produce una forma quadrata di 2Fx2F, consentendo ai produttori di DRAM di ottenere un notevole aumento del 30-50% nella densità di celle per circuito integrato. Questo aggiornamento non solo aumenta la capacità, ma contribuisce anche a un consumo energetico più efficiente.
Inoltre, la nuova tecnologia DRAM di Samsung integrerà materiali avanzati come l’ossido di indio gallio zinco (IGZO), in sostituzione del silicio tradizionale utilizzato nei prodotti precedenti. L’utilizzo dell’IGZO riduce le dispersioni di corrente nelle celle più strette, favorendo una migliore conservazione dei dati.
I concorrenti, tra cui Micron, stanno attualmente posticipando lo sviluppo dei loro chip 4F, optando invece per concentrarsi sulle soluzioni 3D DRAM. I produttori cinesi incontrano difficoltà nella produzione di DRAM 3D avanzate a causa del limitato accesso a strumenti di litografia all’avanguardia. Ciononostante, il design delle DRAM 3D presenta analogie con quello delle NAND 3D, offrendo potenzialmente alle aziende cinesi una via per l’innovazione. Nel frattempo, la corsa allo sviluppo di DRAM 3D sta accelerando, alimentata dalla crescente domanda nel settore dell’intelligenza artificiale.
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