La mémoire ZAM d’Intel : une alternative HBM basse consommation et haute densité qui reçoit un soutien important du Japon

Intel a des nouvelles prometteuses concernant son initiative de mémoire ZAM, développée en collaboration avec SAIMEMORY, filiale de SoftBank. Le projet a récemment pris un essor considérable grâce au soutien du Japon.

Le Japon accélère le développement de la mémoire ZAM en collaboration avec Intel et SoftBank.

Dans une annonce récente, Intel Kabushiki Kaisha (Intel KK) et SAIMEMORY ont révélé que la New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO) du Japon a officiellement choisi ZAM, une norme de mémoire de pointe conçue pour succéder à la High Bandwidth Memory (HBM).

Le projet de développement de mémoire de nouvelle génération que nous menons conjointement avec SAIMEMORY et annoncé lors de l’événement annuel Intel Connection Japan 2026, a été sélectionné pour une subvention de la NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization).Cette subvention nous permettra de développer la mémoire à angle Z (ZAM), une architecture DRAM empilée de nouvelle génération pour l’ère de l’IA… pic.twitter.com/G8vE17gKb2

— Intel [Officiel] (@IntelJapan) 24 avril 2026

Cette approbation de NEDO signifie que le projet bénéficiera d’un financement par le biais de subventions gouvernementales, ce qui accélérera son développement pour relever les défis actuels posés par les pénuries de mémoire, notamment dans les secteurs de l’intelligence artificielle (IA) et du calcul haute performance (HPC).

Lancé en début d’année, le projet ZAM, mené en partenariat avec SoftBank, vise à remédier à la crise actuelle de la mémoire. La mémoire ZAM (Z-Angle Memory) est conçue pour offrir une haute densité, une large bande passante et une faible consommation d’énergie. Cette initiative s’appuiera sur un réseau mondial de partenaires technologiques, industriels et logistiques, indispensable à son développement et à sa commercialisation à grande échelle.

« Intel a consacré des années à démontrer la validité scientifique de la technologie ZAM, des laboratoires nationaux du Département de l’Énergie américain à notre initiative de liaison DRAM de nouvelle génération. Nous sommes convaincus que cette récompense accélère le déploiement mondial de ces travaux et renforce le partenariat technologique nippo-américain, qui sera crucial dans les années à venir.» – Makoto Ohno, président d’Intel KK

Sur le plan technique, la mémoire ZAM (Z-Angle Memory) d’Intel est conçue pour réduire la consommation d’énergie de 40 à 50 %, offrir une conception simplifiée facilitant la fabrication et prendre en charge des densités allant jusqu’à 512 Go par puce. Chaque pile de mémoire ZAM est composée de circuits intégrés DRAM à couches denses, interconnectés par des interconnexions en Z, la connectivité à la puce de calcul principale étant assurée par un pont d’interconnexion multi-puces intégré (EMIB) situé sous la puce de base.

Une diapositive de présentation intitulée « Supercycle de l'IA » met en lumière les partenariats entre Intel, SoftBank et SAIMEMORY, en soulignant la technologie ZAM (Z-Angle Memory) et ses avantages dans la conception de mémoires soumises à des contraintes de puissance et thermiques. — Crédits image : PCWatch

Le lancement prochain de la technologie ZAM marque le grand retour d’Intel sur le marché de la mémoire après plusieurs décennies d’absence. Historiquement leader dans la production de mémoire avant de céder du terrain aux entreprises japonaises, Intel joue aujourd’hui un rôle essentiel dans la concrétisation du projet ZAM.

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