Samsung ha sido noticia por producir el primer módulo DRAM independiente del mundo que utiliza una tecnología de proceso inferior al umbral de los 10 nm.
La revolucionaria tecnología DRAM sub-10 nm de Samsung mejora la densidad y utiliza materiales innovadores.
La industria de la memoria DRAM se ha basado tradicionalmente en un estándar de tecnología de proceso de 10 nm, que abarca varias iteraciones como 1x, 1y, 1a, 1b, 1c y 1d. Sin embargo, Samsung está siendo pionera en un nuevo enfoque con su próxima tecnología de proceso 10a, que se situará por debajo del límite oficial de 10 nm.
Samsung Electronics ha fabricado el primer chip DRAM funcional de un solo dígito en nanómetros del mundo. Según se informa, la compañía planea aumentar rápidamente el rendimiento ajustando las condiciones del proceso en función del chip funcional.
Según fuentes del sector, el 24 de mayo, Samsung Electronics confirmó el correcto funcionamiento del chip durante el proceso de inspección de sus características tras la producción de obleas mediante el proceso 10a el mes pasado. Esto se debe a la primera aplicación de la estructura de celda cuadrada 4F y del proceso de transistor de canal vertical (VCT).
Se prevé que la nueva tecnología de proceso 10a alcance dimensiones de entre 9, 5 nm y 9, 7 nm, lo que representa un hito importante para la industria al ser el primer proceso sub-10 nm. Los elementos transformadores que permiten este avance incluyen la innovadora «Estructura de Celda Cuadrada 4F» y la técnica de Transistor de Canal Vertical (VCT).
Samsung tiene previsto finalizar el desarrollo de su tecnología DRAM 10a este año, con planes para iniciar la producción en masa en 2028. Las mejoras introducidas con la versión 10a servirán de base para futuras iteraciones, concretamente la 10b y la 10c, mientras que se prevé que la versión 10d evolucione hacia la tecnología DRAM 3D entre 2029 y 2030.
Actualmente, la mayoría de los productos DRAM emplean una estructura 6F, lo que resulta en una forma rectangular de 3F x 2F. La transición a una estructura 4F produce una forma cuadrada de 2F x 2F, lo que permite a los fabricantes de DRAM lograr un notable aumento del 30-50% en la densidad de celdas por circuito integrado. Esta mejora no solo aumenta la capacidad, sino que también contribuye a un consumo de energía más eficiente.
Además, la nueva tecnología DRAM de Samsung incorporará materiales avanzados como el óxido de indio, galio y zinc (IGZO), que sustituye al silicio tradicional utilizado en productos anteriores. El uso de IGZO reduce las fugas en celdas más estrechas, lo que favorece una mejor retención de datos.
Actualmente, la competencia, incluyendo a Micron, está posponiendo el desarrollo de sus tecnologías 4F y optando por centrarse en soluciones de DRAM 3D. Los fabricantes chinos se enfrentan a dificultades para producir DRAM 3D avanzada debido al acceso limitado a herramientas de litografía de vanguardia. Sin embargo, el diseño de la DRAM 3D comparte similitudes con el de la NAND 3D, lo que podría ofrecer a las empresas chinas una vía para la innovación. Mientras tanto, la carrera por desarrollar DRAM 3D se está acelerando, impulsada por la creciente demanda en el sector de la IA.
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