Pamięć ZAM firmy Intel: alternatywa HBM o niskim poborze mocy i dużej gęstości cieszy się dużym poparciem w Japonii

Firma Intel ma ekscytujące wieści dotyczące inicjatywy pamięci ZAM, która jest rozwijana we współpracy z SAIMEMORY, spółką zależną SoftBank. Projekt nabrał ostatnio dużego rozpędu dzięki wsparciu Japonii.

Japonia przyspiesza rozwój pamięci ZAM we współpracy z Intel i SoftBank

W niedawnym ogłoszeniu Intel Kabushiki Kaisha (Intel KK) i SAIMEMORY ujawniły, że japońska Organizacja Rozwoju Nowych Energii i Technologii Przemysłowych (NEDO) oficjalnie wybrała ZAM — najnowocześniejszy standard pamięci, który ma być następcą pamięci o dużej przepustowości (HBM).

Projekt rozwoju pamięci nowej generacji, który wspólnie promujemy z SAIMEMORY i który zaprezentowaliśmy podczas tegorocznej konferencji Intel Connection Japan 2026, został wybrany do dofinansowania od NEDO (Nowej Energii i Rozwoju Technologii Przemysłowych).Umożliwi nam to opracowanie pamięci Z-Angle (ZAM), architektury stosowej DRAM nowej generacji dla ery sztucznej inteligencji… pic.twitter.com/G8vE17gKb2

— Intel [Oficjalny] (@IntelJapan) 24 kwietnia 2026 r.

To poparcie ze strony NEDO oznacza, że projekt otrzyma dofinansowanie w formie dotacji rządowych, co przyspieszy jego realizację i pozwoli stawić czoła bieżącym wyzwaniom wynikającym z niedoborów pamięci, zwłaszcza w sektorach sztucznej inteligencji (AI) i obliczeń o wysokiej wydajności (HPC).

Uruchomiony na początku tego roku projekt ZAM ma na celu rozwiązanie obecnego kryzysu pamięci we współpracy z SoftBank. ZAM, czyli pamięć Z-Angle, została zaprojektowana z myślą o wysokiej gęstości, szerokiej przepustowości i niskim zużyciu energii. Inicjatywa będzie wykorzystywać globalną sieć partnerów technologicznych, produkcyjnych i łańcucha dostaw, co ma kluczowe znaczenie dla jej rozwoju i komercjalizacji na szeroką skalę.

„Intel od lat udowadnia naukową stronę technologii ZAM, od krajowych laboratoriów Departamentu Energii (DOE) po naszą inicjatywę Next Generation DRAM Bonding. Wierzymy, że ta nagroda pozwoli nam przyspieszyć wdrożenie tych prac na skalę globalną i wzmocnić partnerstwo technologiczne między USA a Japonią, które będzie miało ogromne znaczenie w nadchodzących latach”.– Makoto Ohno, prezes Intel KK

Z technicznego punktu widzenia, pamięć ZAM (Z-Angle Memory) firmy Intel ma zmniejszyć zużycie energii o 40-50%, charakteryzować się uproszczoną konstrukcją ułatwiającą produkcję oraz obsługiwać gęstości do 512 GB na układ. Każdy stos pamięci ZAM będzie składał się z gęsto ułożonych układów DRAM, połączonych ze sobą za pomocą połączeń Z-Angle, a łączność z głównym układem obliczeniowym będzie realizowana za pośrednictwem mostka EMIB (Embedded Multi-Die Interconnect Bridge) znajdującego się pod rdzeniem.

Slajd prezentacji zatytułowany „AI Supercycle” podkreśla partnerstwa między firmami Intel, SoftBank i SAIMEMORY, kładąc nacisk na technologię ZAM (Z-Angle Memory) i jej zalety w projektowaniu pamięci, wynikające z ograniczeń dotyczących zużycia energii i temperatury. — Źródła obrazów: PCWatch

Zbliżające się wprowadzenie ZAM oznacza znaczący powrót Intela na rynek pamięci po kilku dekadach. Historycznie Intel był liderem w produkcji pamięci, zanim stracił pozycję na rzecz firm japońskich, a teraz te same firmy odgrywają kluczową rolę w realizacji wizji ZAM.

Źródło i obrazy