Oczekuje się, że architektura Samsung Exynos 2700 SBS przewyższy Snapdragona i zwiększy przepustowość pamięci o 30–40%

Oczekuje się, że architektura Samsung Exynos 2700 SBS przewyższy Snapdragona i zwiększy przepustowość pamięci o 30–40%

Samsung poczynił znaczące postępy, wprowadzając innowacyjny radiator w układzie Exynos 2600, który poprawia jego stabilność termiczną. Jednak gigant technologiczny jest gotowy na kolejny krok naprzód dzięki nadchodzącemu układowi Exynos 2700. Ta nowa wersja będzie wykorzystywać najnowocześniejszą architekturę SBS (Side-by-Side) w połączeniu z zaawansowaną konstrukcją radiatora, aby osiągnąć znaczący wzrost przepustowości pamięci i ogólnej wydajności.

Układ Exynos 2700 firmy Samsung: architektura SBS i innowacja w zakresie radiatorów

Procesor Exynos 2700 ma wykorzystywać technologię SF2P nowej generacji firmy Samsung, bazującą na technologii 2 nm Gate-All-Around (GAA), stosowanej wcześniej w procesorze Exynos 2600. Dla porównania, technologia GAA charakteryzuje się trójwymiarową konstrukcją tranzystora, w której bramka otacza kanał – składający się z pionowo ułożonych nanopłytek – ze wszystkich stron. Taka konfiguracja poprawia kontrolę elektrostatyczną i zmniejsza zapotrzebowanie na napięcie. W rezultacie, przewidywany proces SF2P zapewni 12% wzrost wydajności i 25% zmniejszenie zużycia energii w porównaniu z poprzednimi generacjami.

Jednak najbardziej znacząca transformacja w układzie Exynos 2700 dotyczy jego układu architektonicznego. Exynos 2600 wykorzystuje tradycyjną konstrukcję kanapkową, z pamięcią RAM ułożoną na wierzchu układu SoC (System-on-Chip), a miedzianym radiatorem, znanym jako blok grzejny (Heat Path Block, HPB), umieszczonym nad pamięcią RAM. Chociaż taka konfiguracja zapewnia przyzwoitą wydajność termiczną, nieumyślnie zatrzymuje ciepło między układem SoC a pamięcią RAM, co może negatywnie wpływać na wydajność.

Natomiast Exynos 2700 będzie wykorzystywał technologię Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP), umożliwiającą umieszczenie pamięci RAM obok układu SoC na poziomie wafla. Taka integracja niesie ze sobą szereg korzyści. Przede wszystkim, krótsze połączenia między układami mają zwiększyć przepustowość pamięci o około 30% do 40%, a jednocześnie poprawić efektywność energetyczną. Co więcej, radiator HPB skutecznie zakryje zarówno układ SoC, jak i pamięć RAM, znacząco poprawiając stabilność termiczną układu.

Obecnie układ Exynos 2600 charakteryzuje się lepszą stabilnością termiczną w porównaniu do układu Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5. Oczekuje się, że dzięki nadchodzącym udoskonaleniom układu Exynos 2700 Samsung jeszcze bardziej wzmocni swoją przewagę konkurencyjną, co stworzy podwaliny pod przełomową wydajność w technologii mobilnej.

Źródło i obrazy

Powiązane artykuły:

Znaczny spadek ceny 16 GB pamięci DDR5 SO-DIMM w Chinach o 87 USD — pierwsza duża obniżka w 2023 r.
Samsung Galaxy S27 Ultra ma mieć baterię o pojemności 5800 mAh: dlaczego przewyższa chińskich konkurentów z bateriami o pojemności ponad 6000 mAh

Dodaj komentarz

Twój adres e-mail nie zostanie opublikowany. Wymagane pola są oznaczone *