中国の国内メモリチップメーカー各社は、高帯域幅メモリ（HBM）チップの生産をめぐって熾烈な競争を繰り広げている。しかし、DRAM大手メーカーであるCXMTは、HBM3技術の開発において大きな課題に直面している。
HBM3開発における課題が中国のAI分野に懸念を引き起こしている
中国のAI産業は、ファーウェイをはじめとする主要企業や様々な半導体メーカーに牽引され、驚異的な成長を遂げている。高度な半導体製造に関する厳しい規制にもかかわらず、国内のAIエコシステムは順調に発展している。近年では、国内のDRAMメーカーが最先端のAIチップに統合するための初のHBM3ソリューションの試作を開始している。
Semicon China 2026では、複数の中国ベンダーがDRAM技術における最新のイノベーションを発表した。中でもJCETは、 2.5Dスタッキング技術を採用したHBM3eパッケージングソリューションを披露し、スタックあたり960GB/sという驚異的な帯域幅を実現するとともに、従来世代と比較して相互接続密度を20%向上させた。
JCETは先月、HBM3eソリューションを発表しました。2月には、中国の国立研究所が、国内製の設備のみを使用して量産可能なHBM4プロトタイププロセスも開発しました。pic.twitter.com/HiSI1YXKXs
— WarChud (@SheerC12972) 2026年4月20日
JCETのHBM3e設計は革新的であるものの、同社は現在必要な製造能力を欠いており、生産を外部委託に頼らざるを得ない状況にある。
中国最大のDRAMメーカーであるCXMTも、HBM3の生産において課題に直面している。当初2026年前半の発売を予定していたCXMTは、第4世代HBMソリューションの量産に向けた発注をまだ行っていない。
半導体業界関係者は、「CXMTの技術進歩は目覚ましいが、HBM3の量産スケジュールは依然として遅れている。現在の開発ペースを考えると、今年中の量産は非現実的だ」と指摘した。
報道によると、CXMTのHBM3メモリは依然としてテスト段階にあり、供給可能な量は大規模生産ではなくサンプル生産にしか適していないという。HBM分野では目覚ましい進歩が見られるものの、専門家はCXMTのHBM3ソリューションの実用化は来年までずれ込む可能性があると指摘している。
一方、他のグローバルDRAMメーカーは、次世代AIデータセンター向けにHBM4メモリの量産化を急速に進め、HBM3Eソリューションの強化を図っている。間もなく登場するHBM4は、NVIDIAのVera RubinやAMDのMI400など、今年後半に発売予定の新しいデータセンター向けチップにおいて重要な役割を果たすと期待されている。
中国におけるHBM3の生産遅延は、ファーウェイなどの国内AIチップメーカーにとって供給不足を引き起こす可能性があり、CXMTなどの企業が量産を開始できるまで、外部ソリューションに頼らざるを得なくなったり、次世代製品の発売を延期せざるを得なくなる可能性がある。
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