サムスンは、最大13ギガビット/秒という驚異的な速度と、48ギガバイトに達する容量のサポートを誇る次世代HBM4メモリの量産と出荷を正式に開始しました。
サムスン、HBM4メモリ生産で新たな基準を確立
プレスリリース：先進メモリソリューションのリーディングカンパニーであるサムスン電子は、画期的なHBM4メモリの量産を開始したことを発表しました。この成果により、サムスンは業界で初めてこの技術の商用出荷を達成した企業となり、HBM4市場におけるリーダーシップを確固たるものにしました。
サムスンは最先端の第6世代10ナノメートル（nm）DRAMプロセスを活用し、さらなる再設計を必要とせずに、最初から安定した歩留まりと優れたパフォーマンスを実現しました。
パフォーマンスと効率性を再定義
SamsungのHBM4メモリは、11.7ギガビット/秒（Gbps）の持続処理速度を実現し、業界標準の8Gbpsを約46%上回ります。これはメモリ性能における重要なベンチマークであり、最大ピン速度9.6Gbpsだった従来のHBM3E規格から大幅に向上しています。さらに、HBM4テクノロジーは最大13Gbpsへの高速化を可能にし、データのボトルネックを効果的に緩和します。これは、AIモデルの需要増加に伴って特に効果的です。
さらに、HBM4 はスタックあたり最大 3.3 テラバイト/秒 (TB/s) の合計メモリ帯域幅を実現し、HBM3E と比較して 2.7 倍という驚異的な増加を示します。
高度な 12 層スタッキング技術を採用した HBM4 は、24 GB から 36 GB までの容量で提供され、将来の顧客要件に合わせて 16 層スタッキングによる最大 48 GB の構成も提供する予定です。
データI/Oピン数が1, 024ピンから2, 048ピンに倍増したことで増大する消費電力と熱管理の課題に対処するため、Samsungの設計ではコアダイ内に最先端の低消費電力ソリューションを組み込んでいます。HBM4は、高度なTSV技術と最適化されたPDNを使用することで、電力効率が40%も向上し、HBM3Eと比較して熱抵抗が10%、放熱性が30%向上しています。
高性能、エネルギー効率、信頼性の優れた組み合わせにより、Samsung の HBM4 は将来のデータセンター環境にとって非常に貴重な資産となり、顧客は GPU スループットを最大化し、総所有コスト (TCO) を効果的に処理できるようになります。
成長するHBM市場に対応するアジャイルな生産能力
サムスンのHBMロードマップ強化への取り組みは、業界最大級のDRAM生産能力と専用製造インフラによって支えられています。これにより、予想されるHBM4需要の急増に対応できる、強靭なサプライチェーンが確保されます。
サムスンでは、ファウンドリー部門とメモリ部門を統合した設計技術共同最適化（DTCO）により、最高レベルの品質と歩留まりを実現しています。高度なパッケージングに関する社内の豊富な専門知識を活用することで、生産プロセスを合理化し、リードタイムを最小限に抑えながら生産性を最適化しています。
今後、サムスンは、次世代 ASIC の開発に注力する世界的な GPU メーカーやハイパースケーラーと連携しながら、主要パートナーとの技術協力を拡大する予定です。
予測によると、サムスンはHBMの売上高が2025年比で2026年までに3倍以上に増加すると見込んでおり、HBM4の生産能力を積極的に増強しています。HBM4の市場投入が順調に進んだことを受け、HBM4Eのサンプル供給は2026年後半に開始される見込みです。また、特定の要件に合わせてカスタマイズされたカスタムHBMサンプルは、2027年に顧客に提供される予定です。
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