La technologie EMIB (Embedded Multi-die Interconnect Bridge) d’Intel a atteint des taux de rendement impressionnants, la positionnant comme une solution de premier plan pour l’intégration dans les futures puces de centres de données d’IA.
Intel EMIB : une solution pionnière en matière de compétitivité des emballages avancés face à TSMC
Des discussions récentes ont mis en lumière l’attrait croissant de la technologie EMIB auprès des entreprises spécialisées en IA pour la conception de leurs puces de nouvelle génération. L’objectif principal de cette technologie innovante est de proposer une alternative efficace et évolutive aux solutions CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate) de TSMC.
Des acteurs majeurs comme Google prévoient d’utiliser la technologie d’encapsulation avancée d’Intel dans leurs futures unités de traitement tensoriel (TPU), tandis que NVIDIA s’intéresse également à EMIB pour ses puces Feynman de nouvelle génération. Face à ces évolutions, Jeff Pu, analyste chez GF Securities Technology Research, a partagé des perspectives optimistes quant à la trajectoire impressionnante d’EMIB.
Résumé de l’analyse des résultats de MediaTek (2454 TT) et implications : Suite à nos articles du 25 mars (« En route vers un BPA > 200 NT$ ») et du 27 avril (« Deux autres points à retenir ! »), le cours de l’action MTK a progressé d’environ 50 % et nous anticipons une réaction positive après la publication des résultats d’aujourd’hui. Nous avons relevé notre objectif de cours à 3 528 NT$…
– Jeff Pu (@sssjeffpu) 30 avril 2026
Jeff Pu a notamment souligné que la technologie EMIB d’Intel a atteint un taux de rendement de 90 %, un signe prometteur pour la division Foundry d’Intel et témoignant de la confiance accordée à ses capacités. Meta figure parmi les acteurs majeurs qui envisagent l’EMIB pour leurs futurs processeurs, même si son projet ne devrait pas se concrétiser avant fin 2028.
Les progrès constants témoignent de l’importance qu’Intel accorde à la multitude d’avantages offerts par la technologie EMIB : amélioration du rendement, réduction de la consommation d’énergie, diminution des coûts de fabrication et praticité des systèmes à nœuds mixtes de plus grande taille.
Une vidéo récente d’Intel montre que les rendements des puces EMIB sont équivalents à ceux des puces FCBGA (Flip Chip Ball Grid Array), tout en offrant une densité de connexion supérieure. Contrairement aux puces EMIB, qui interconnectent les puces au sein de leur pont, les puces FCBGA, une technologie d’encapsulation haute performance répandue, connectent les différents composants directement au circuit imprimé via des billes de soudure.
Différencier EMIB-M et EMIB-T
Actuellement, Intel propose deux variantes de la technologie EMIB : EMIB-M et EMIB-T. La variante EMIB-M privilégie l’efficacité énergétique en intégrant des condensateurs métal-isolant-métal (MIM) dans son pont de silicium afin d’optimiser la puissance fournie et de minimiser le bruit du signal. Bien que légèrement plus chers que les condensateurs métal-oxyde-métal (MOM) traditionnels, les condensateurs MIM offrent une stabilité accrue et des fuites de courant réduites.
La construction d’EMIB-M repose sur l’assemblage de structures 3D haute densité par l’intermédiaire de puces interconnectées via le pont EMIB-M, garantissant ainsi une communication à large bande passante. L’alimentation est distribuée autour du pont dans cette configuration.
- Connexion efficace et économique pour plusieurs matrices complexes.
- Utilise un style d’encapsulation 2.5D pour la logique-logique et la mémoire à large bande passante (HBM).
- EMIB-M utilise des condensateurs MIM, tandis qu’EMIB-T intègre des vias traversants en silicium (TSV).
- Pont en silicium intégré de manière transparente dans le substrat du boîtier pour une connectivité améliorée.
- EMIB-T facilite l’intégration de la propriété intellectuelle issue de diverses méthodologies d’emballage.
- La rationalisation de la chaîne d’approvisionnement et des processus d’assemblage améliore l’efficacité.
- Éprouvée en production de masse depuis 2017, elle profite à la fois à Intel et à ses fournisseurs externes.
À l’inverse, EMIB-T optimise le routage de l’alimentation directement à travers le pont, permettant une plus grande densité grâce à son intégration de TSV, ce qui est particulièrement avantageux pour les puces IA hautes performances.
Évolutivité d’EMIB à l’ère des hyperscalers
Les projections actuelles indiquent que la technologie EMIB-T permettra une évolutivité des puces supérieure à 8 fois la taille du réticule dans des boîtiers 120×120, intégrant 12 puces HBM, quatre chiplets compacts et plus de 20 interconnexions EMIB-T. D’ici 2028, Intel ambitionne d’étendre cette capacité à plus de 12 fois la taille du réticule dans des boîtiers 120×180, intégrant 24 puces HBM et plus de 38 connexions EMIB-T.
En comparaison, TSMC prévoit d’atteindre des tailles de réticule 14 fois supérieures d’ici 2028 avec jusqu’à 20 boîtiers HBM. L’entreprise prévoit également de développer des boîtiers System of Wafer (SoW) pour l’encapsulation de puces avancées à grande échelle, bien qu’à un coût nettement supérieur à celui du CoWoS.
L’un des principaux atouts d’EMIB réside dans son caractère indépendant des nœuds de processus IP et de puce, permettant une intégration polyvalente de diverses puces provenant de différents fournisseurs, tout en garantissant des performances optimales en termes de bande passante et d’efficacité énergétique.
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