Les fabricants chinois de puces mémoire se livrent à une course effrénée pour produire des puces de mémoire à large bande passante (HBM).Cependant, CXMT, principal producteur de DRAM, rencontre d’importantes difficultés dans le développement de sa technologie HBM3.
Les défis liés au développement de la mémoire HBM3 suscitent des inquiétudes dans le secteur de l’IA en Chine.
L’industrie chinoise de l’IA connaît une croissance phénoménale, portée par des acteurs clés comme Huawei et divers fabricants de puces. Malgré une réglementation stricte encadrant la fabrication de puces avancées, l’écosystème national de l’IA a su prospérer. Récemment, des producteurs locaux de DRAM ont testé leurs premières solutions HBM3 en vue de leur intégration avec des puces d’IA de pointe.
Lors du salon Semicon China 2026, plusieurs fournisseurs chinois ont présenté leurs dernières innovations en matière de technologie DRAM.JCET a notamment mis en avant sa solution d’encapsulation HBM3e utilisant une technologie d’empilement 2.5D, atteignant une bande passante impressionnante de 960 Go/s par pile et améliorant la densité d’interconnexion de 20 % par rapport aux générations précédentes.
Le JCET a annoncé une solution HBM3e le mois dernier. En février, un laboratoire d’État chinois a également mis au point un prototype de procédé HBM4 reproductible en masse à l’aide d’équipements entièrement nationaux.pic.twitter.com/HiSI1YXKXs
— WarChud (@SheerC12972) 20 avril 2026
Bien que la conception HBM3e de JCET soit innovante, l’entreprise ne dispose actuellement pas des capacités de fabrication nécessaires, ce qui la contraint à sous-traiter sa production.
CXMT, principal producteur de DRAM en Chine, rencontre également des difficultés dans la production de HBM3. Initialement prévue pour un lancement au premier semestre 2026, CXMT n’a encore passé aucune commande pour la production en série de sa solution HBM de 4e génération.
Une source au sein de l’industrie des semi-conducteurs a fait remarquer : « Les progrès technologiques de CXMT ont été rapides, mais le calendrier de production en série de la mémoire HBM3 continue d’être retardé. Compte tenu du rythme actuel de développement, une production en série cette année semble improbable.»
Selon certaines sources, la mémoire HBM3 de CXMT est toujours en phase de test, les stocks disponibles ne permettant que la production d’échantillons et non une fabrication à grande échelle. Malgré des avancées notables dans le secteur de la mémoire HBM, les experts estiment que la disponibilité de la solution HBM3 de CXMT pourrait se prolonger jusqu’à l’année prochaine.
Parallèlement, d’autres fabricants mondiaux de DRAM se tournent rapidement vers la production de masse de mémoire HBM4 et améliorent les solutions HBM3E destinées aux centres de données d’IA de nouvelle génération. La mémoire HBM4, bientôt disponible, devrait jouer un rôle déterminant dans les nouvelles puces pour centres de données, notamment la Vera Rubin de NVIDIA et la MI400 d’AMD, dont le lancement est prévu plus tard cette année.
Le retard pris dans la production de HBM3 en Chine pourrait créer une pénurie d’approvisionnement pour les fabricants nationaux de puces d’IA, tels que Huawei, les obligeant potentiellement à dépendre de solutions externes ou à reporter la sortie de leurs produits de nouvelle génération jusqu’à ce que CXMT et ses homologues puissent lancer la production de masse.
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