Intel se positionne stratégiquement pour tirer parti de la demande croissante de DRAM en collaborant avec une filiale de SoftBank afin de lancer une technologie de mémoire révolutionnaire appelée « ZAM ».Cette initiative intervient à un moment où la prolifération des infrastructures d’intelligence artificielle (IA) a entraîné une augmentation sans précédent des besoins en DRAM, notamment chez les hyperscalers et les fabricants de semi-conducteurs.
Efficacité énergétique améliorée grâce aux modules de mémoire ZAM d’Intel
La chaîne d’approvisionnement mondiale en mémoire est confrontée à d’importantes contraintes dues à la disponibilité limitée des fournisseurs actuels, ce qui souligne le besoin urgent de nouveaux acteurs sur le marché. Dans ce contexte, Intel prend l’initiative d’un nouveau projet dans le domaine de la mémoire. L’entreprise s’est associée à Saimemory (SoftBank) pour élaborer une nouvelle norme appelée Z-Angle Memory (ZAM).
Les premiers développements de la technologie de mémoire ZAM s’inscrivent dans le cadre du programme Advanced Memory Technology (AMT) lancé par le Département de l’Énergie des États-Unis. Intel y a présenté ses techniques de pointe d’interconnexion pour la DRAM de nouvelle génération. Bien que les annonces de SoftBank ne détaillent pas le positionnement précis de la mémoire ZAM, les informations recueillies sur les stratégies d’interconnexion d’Intel suggèrent que cette technologie adoptera probablement une topologie d’interconnexion décalée, facilitant les connexions diagonales à travers la pile de puces au lieu du perçage vertical conventionnel.
Les architectures mémoire classiques ne répondent pas aux besoins de l’intelligence artificielle. NGDB propose une approche novatrice qui accélérera notre transition vers la prochaine décennie.
Nous repensons l’organisation de la DRAM afin de faire progresser fondamentalement l’architecture des systèmes informatiques, dans le but d’obtenir des gains de performance considérables et d’intégrer l’innovation aux normes industrielles.
– Des responsables d’Intel s’expriment sur la liaison DRAM de nouvelle génération
La conception de la mémoire à angle Z (ZAM) vise à utiliser une plus grande surface de silicium pour les cellules de mémoire, permettant ainsi d’accroître la densité tout en réduisant la résistance thermique. Cette approche novatrice pourrait intégrer des techniques de liaison hybride cuivre-cuivre, assurant des connexions plus efficaces entre les couches et créant un bloc de silicium cohésif plutôt que des empilements discrets. De plus, la ZAM devrait être une conception sans condensateur, intégrant le pont d’interconnexion multi-puces embarqué (EMIB) d’Intel pour une connectivité transparente entre la mémoire et les processeurs d’IA.

Cette collaboration entre SoftBank et Intel devrait permettre à ce dernier de maîtriser la technologie d’empilement de mémoire, ouvrant la voie à des avancées potentielles dans le domaine des circuits intégrés spécifiques à une application (ASIC), notamment la série Izanagi. Bien que les performances exactes comparant la mémoire ZAM à la mémoire à large bande passante (HBM) restent à confirmer, les premières indications suggèrent que la conception en angle Z pourrait offrir :
- Réduction de 40 à 50 % de la consommation d’énergie
- Fabrication rationalisée grâce aux interconnexions en Z
- Capacité de stockage améliorée par puce (jusqu’à 512 Go)
Cela marque un retour en force notable d’Intel sur le marché de la DRAM, le géant technologique ayant déjà opéré sur ce segment jusqu’en 1985, date à laquelle il s’en est retiré face à la concurrence accrue des entreprises japonaises. Compte tenu de la dynamique actuelle du marché et de l’immense potentiel du secteur de la mémoire, il sera intéressant d’observer l’évolution de la technologie ZAM d’Intel et sa capacité à s’imposer auprès des leaders du secteur, notamment des acteurs majeurs comme NVIDIA.
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