Espera-se que a arquitetura SBS do Samsung Exynos 2700 supere o Snapdragon, aumentando a largura de banda da memória em 30 a 40%.

Espera-se que a arquitetura SBS do Samsung Exynos 2700 supere o Snapdragon, aumentando a largura de banda da memória em 30 a 40%.

A Samsung deu um salto significativo com a introdução de um dissipador de calor inovador no chip Exynos 2600, aprimorando sua estabilidade térmica. No entanto, a gigante da tecnologia está prestes a dar outro passo com o lançamento do chip Exynos 2700. Esta nova versão utilizará uma arquitetura side-by-side (SBS) de última geração, juntamente com um design de dissipador de calor avançado, para alcançar uma melhoria notável na largura de banda da memória e no desempenho geral.

Chip Exynos 2700 da Samsung: Arquitetura SBS e inovação em dissipador de calor

O chip Exynos 2700 utilizará o processo SF2P de última geração da Samsung, que se baseia na tecnologia Gate-All-Around (GAA) de 2 nm empregada anteriormente no Exynos 2600. Para contextualizar, a tecnologia GAA apresenta um design de transistor 3D onde a porta envolve o canal — composto por nanofolhas empilhadas verticalmente — em todos os lados. Essa configuração aprimora o controle eletrostático e reduz os requisitos de tensão. Como resultado, o futuro processo SF2P deverá oferecer uma melhoria de 12% no desempenho e uma redução de 25% no consumo de energia em comparação com as gerações anteriores.

Contudo, a transformação mais significativa no chip Exynos 2700 reside em seu layout arquitetônico. O Exynos 2600 emprega um design tradicional em sanduíche, com a RAM empilhada sobre o sistema em chip (SoC) e um dissipador de calor à base de cobre, conhecido como Bloco de Caminho Térmico (HPB), posicionado acima da RAM. Embora essa configuração ofereça uma eficiência térmica razoável, ela acaba retendo calor entre o SoC e a RAM, o que pode afetar o desempenho.

Em contraste, o Exynos 2700 utilizará a tecnologia Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP), permitindo que a RAM seja posicionada próxima ao SoC no nível do wafer. Essa integração apresenta diversas vantagens. Principalmente, espera-se que interconexões mais curtas aumentem a largura de banda da memória em aproximadamente 30% a 40%, além de aprimorar a eficiência energética. Ademais, o dissipador de calor HPB cobrirá efetivamente tanto o SoC quanto a RAM, melhorando significativamente a estabilidade térmica do chip.

Atualmente, o chip Exynos 2600 demonstrou estabilidade térmica superior em comparação com o Snapdragon 8 Elite Gen 5 da Qualcomm. Com os próximos avanços no Exynos 2700, espera-se que a Samsung reforce ainda mais essa vantagem competitiva, preparando o terreno para um desempenho inovador na tecnologia móvel.

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