A tecnologia de ligação híbrida está revolucionando o cenário de fabricação de chips de memória, permitindo a ligação direta de camadas de memória sem a necessidade de bumps tradicionais. Essa abordagem inovadora resulta em maior velocidade e eficiência de processamento, graças à redução da geração de calor. Em uma conferência recente intitulada “Além do HBM — Tecnologias Essenciais de Embalagem Avançada: De Substratos de Próxima Geração a Módulos”, realizada na Coreia do Sul, o líder técnico da We Hynix, Kim Jong-hoon, revelou esses avanços, conforme relatado pelo The Elec.
Surgimento de tecnologias de encapsulamento de ponta para chips de memória HBM4 de próxima geração
Os módulos de memória de alta largura de banda (HBM) são construídos empilhando vários chips de memória, o que tradicionalmente envolve a interconexão deles por meio de contatos de alumínio ou cobre. Atualmente, os chips de memória normalmente abrangem de 8 a 12 camadas empilhadas. No entanto, à medida que a demanda por maior velocidade, desempenho e capacidade aumenta, as novas gerações de módulos de memória, como HBM4 e HBM5, estão ampliando ainda mais o limite, utilizando ainda mais camadas, mantendo o tamanho físico do encapsulamento.
É aqui que a ligação híbrida se torna crucial. Ao eliminar as saliências que conectam os chips de memória, os fabricantes podem empilhar camadas adicionais de forma eficiente em um encapsulamento de tamanho equivalente, otimizando assim o espaço e o desempenho.
Avanços significativos no mercado de HBM: o recente anúncio da Hynix.
Kim Jong-hoon observou ainda: “Atualmente, estamos focados em melhorar nossa produtividade para garantir que ela atenda aos padrões exigidos para a produção em massa. Embora não possamos divulgar números específicos de produtividade, nosso progresso está significativamente mais avançado do que em esforços anteriores.”
Continuação da dependência de técnicas avançadas de preenchimento até que a colagem híbrida amadureça.
Em conjunto com a colagem híbrida, a We Hynix também utiliza a tecnologia MR-MUF, que busca minimizar o espaço entre os chips de memória. Diferentemente da colagem híbrida, esse método continua incorporando protuberâncias de cobre, mas envolve o aquecimento de toda a pilha de chips e, posteriormente, o preenchimento de quaisquer espaços com um material de preenchimento inferior.
Embora os chips de memória HBM sejam predominantemente associados a ambientes de computação empresarial, as vantagens da tecnologia de interconexão híbrida (híbrida) também se estendem a aplicações de consumo, proporcionando melhorias significativas de desempenho. No entanto, devido à alta demanda proveniente de data centers, espera-se que esses chips avançados permaneçam caros e potencialmente escassos no mercado.
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