A Samsung ganhou destaque ao produzir o primeiro módulo DRAM independente do mundo utilizando uma tecnologia de processo abaixo do limite de 10nm.
A tecnologia inovadora de DRAM sub-10nm da Samsung aumenta a densidade e utiliza materiais inovadores.
Tradicionalmente, a indústria de DRAM tem se baseado em um padrão de tecnologia de processo de 10 nm, que engloba várias iterações, como 1x, 1y, 1a, 1b, 1c e 1d. No entanto, a Samsung está inovando com sua tecnologia de processo 10a, que está prestes a ser lançada e que ficará abaixo do limite oficial de 10 nm.
A Samsung Electronics produziu o primeiro chip DRAM funcional com resolução de um dígito em nanômetros do mundo. Segundo informações, a empresa planeja aumentar rapidamente a produtividade ajustando as condições do processo com base nesse chip funcional.
Segundo fontes da indústria, no dia 24, a Samsung Electronics teria confirmado o funcionamento de um chip durante o processo de inspeção de suas características, após a produção de wafers utilizando o processo 10a no mês passado. Isso é resultado da primeira aplicação da estrutura de célula quadrada 4F e do processo de Transistor de Canal Vertical (VCT).
A nova tecnologia de processo 10a tem previsão de atingir dimensões entre 9, 5 nm e 9, 7 nm, marcando um importante marco na indústria como o primeiro processo sub-10 nm. Os elementos transformadores que possibilitam esse avanço incluem a inovadora “Estrutura de Célula Quadrada 4F” e a técnica de Transistor de Canal Vertical (VCT).
A Samsung pretende finalizar o desenvolvimento de sua tecnologia DRAM 10a ainda este ano, com planos para produção em massa até 2028. Os aprimoramentos introduzidos com a 10a servirão como base para futuras iterações, especificamente a 10b e a 10c, enquanto a versão 10d deverá migrar para a tecnologia DRAM 3D até 2029-2030.
Atualmente, a maioria dos produtos DRAM utiliza uma estrutura 6F, resultando em um formato retangular de 3Fx2F. A transição para uma estrutura 4F produz um formato quadrado de 2Fx2F, permitindo que os fabricantes de DRAM alcancem um aumento notável de 30 a 50% na densidade de células por circuito integrado. Essa atualização não apenas aumenta a capacidade, mas também contribui para um consumo de energia mais eficiente.
Além disso, a nova tecnologia DRAM da Samsung incorporará materiais avançados como o óxido de índio, gálio e zinco (IGZO), substituindo o silício tradicional usado em produtos anteriores. O uso do IGZO atenua o vazamento em células menores, promovendo melhor retenção de dados.
Concorrentes, incluindo a Micron, estão atualmente adiando seus desenvolvimentos em 4F, optando por se concentrar em soluções de DRAM 3D. Os fabricantes chineses enfrentam desafios na produção de DRAM 3D avançada devido ao acesso limitado a ferramentas de litografia de ponta. No entanto, o design da DRAM 3D compartilha semelhanças com o da NAND 3D, oferecendo potencialmente às empresas chinesas um caminho para a inovação. Enquanto isso, a corrida para desenvolver DRAM 3D está se acelerando, impulsionada pela crescente demanda no setor de IA.
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