A principal fabricante de memórias da China enfrenta desafios com o HBM3, enquanto os produtores locais de DRAM aceleram a produção de HBM.

A principal fabricante de memórias da China enfrenta desafios com o HBM3, enquanto os produtores locais de DRAM aceleram a produção de HBM.

Os fabricantes locais de chips de memória da China estão em uma corrida acirrada para produzir chips de memória de alta largura de banda (HBM).No entanto, a principal produtora de DRAM, a CXMT, está enfrentando desafios significativos no desenvolvimento de sua tecnologia HBM3.

Desafios no desenvolvimento do HBM3 causam preocupação para o setor de IA da China.

A indústria chinesa de IA está experimentando um crescimento fenomenal, impulsionada por empresas-chave como a Huawei e diversos fabricantes de chips. Apesar de enfrentar regulamentações rigorosas sobre a fabricação de chips avançados, o ecossistema de IA doméstico conseguiu prosperar. Avanços recentes permitiram que produtores locais de DRAM iniciassem o desenvolvimento de soluções HBM3 para integração com chips de IA de ponta.

Na Semicon China 2026, diversos fornecedores chineses apresentaram suas mais recentes inovações em tecnologia DRAM. Em particular, a JCET exibiu sua solução de encapsulamento HBM3e utilizando a tecnologia de empilhamento 2.5D, alcançando uma impressionante largura de banda de 960 GB/s por pilha e aumentando a densidade de interconexão em 20% em comparação com as gerações anteriores.

Embora o projeto HBM3e da JCET seja inovador, a empresa atualmente não possui as capacidades de fabricação necessárias, o que resulta em sua dependência da terceirização da produção.

A CXMT, principal produtora de DRAM na China, também enfrenta dificuldades na produção de HBM3. Inicialmente prevista para lançamento no primeiro semestre de 2026, a CXMT ainda não fez nenhum pedido para a produção em massa de sua solução HBM de 4ª geração.

Uma fonte da indústria de semicondutores observou: “O progresso tecnológico da CXMT tem sido rápido, mas o cronograma de produção em massa do HBM3 continua atrasado. Dado o ritmo atual de desenvolvimento, a produção em massa este ano parece improvável.”

via ZDNET Coreia

Relatórios indicam que a memória HBM3 da CXMT permanece em fase de testes, com suprimentos disponíveis adequados apenas para produção de amostras, e não para fabricação em larga escala. Apesar dos avanços notáveis ​​no setor de HBM, especialistas sugerem que a disponibilidade da solução HBM3 da CXMT pode se estender até o próximo ano.

Enquanto isso, outros fabricantes globais de DRAM estão rapidamente migrando para a produção em massa de memória HBM4 e aprimorando soluções HBM3E voltadas para data centers de IA de última geração. Espera-se que a futura HBM4 seja fundamental em novos chips para data centers, incluindo o Vera Rubin da NVIDIA e o MI400 da AMD, que devem ser lançados ainda este ano.

O atraso na produção de HBM3 na China pode criar uma lacuna de fornecimento para fabricantes nacionais de chips de IA, como a Huawei, potencialmente forçando-os a depender de soluções externas ou adiar o lançamento de seus produtos de próxima geração até que a CXMT e suas concorrentes possam iniciar a produção em massa.

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