A NVIDIA não demonstra interesse na tecnologia de memória HBF, apesar de seus novos módulos de 4 TB superarem a HBM; o Google inicia a distribuição de amostras ainda este ano.

A NVIDIA não demonstra interesse na tecnologia de memória HBF, apesar de seus novos módulos de 4 TB superarem a HBM; o Google inicia a distribuição de amostras ainda este ano.

A memória Flash de Alta Largura de Banda (HBF) está emergindo como uma concorrente de destaque no cenário da tecnologia de memória, ostentando maior capacidade do que a Memória de Alta Largura de Banda (HBM).No entanto, a NVIDIA optou por não adotar essa solução inovadora; em vez disso, o Google deverá se tornar um dos principais clientes da HBF.

NVIDIA mantém seu compromisso com a HBM: Amostragem de HBF planejada para o final deste ano.

Os recentes avanços na memória NAND DRAM chegam em um momento em que as aplicações de inteligência artificial (IA) estão ganhando impulso rapidamente. Embora a NAND atenda principalmente às necessidades de armazenamento — sobretudo em unidades de estado sólido (SSDs) — os avanços previstos na tecnologia HBF podem transformar significativamente as soluções de memória. Projetada para fazer a ponte entre a HBM e a NAND Flash, a HBF representa a próxima geração da NAND DRAM.

A arquitetura do HBF incorporará inúmeras interconexões através do silício (TSVs), permitindo a integração de múltiplos pacotes NAND em uma única pilha. Atualmente, o HBM suporta capacidades que variam de 32 a 64 GB por pilha, enquanto o HBF está preparado para oferecer capacidades expansivas de até 4 TB.

Em termos de desempenho, embora a HBM mantenha seu status como a opção mais rápida, espera-se que as otimizações arquitetônicas na HBF proporcionem taxa de transferência suficiente para tarefas essenciais de IA. Esse novo padrão é particularmente adequado para cargas de trabalho de inferência, que ganharam importância com o surgimento da IA ​​Agética. O aumento da capacidade oferecida pela HBF também pode ajudar a aliviar algumas das limitações impostas pelos caches de chave-valor (KV) nos chips de computação primários.

Apesar das vantagens potenciais do HBF, a NVIDIA declarou publicamente que não tem planos imediatos para implementar essa nova tecnologia de DRAM, acreditando que os SSDs aprimorados (eSSDs) existentes atendem adequadamente aos requisitos atuais de capacidade e velocidade. A empresa está colaborando com a Kioxia para desenvolver SSDs PCIe Gen7 que podem oferecer velocidades até 100 vezes maiores que os modelos convencionais.

Um slide de apresentação da SanDisk intitulado 'High Bandwidth Flash (HBF™)' detalha a ampliação da memória HBM com flash NAND para cargas de trabalho de IA, apresentando um diagrama da pilha HBF com componentes rotulados como HBF Core Die, Logic Die, PHY e Interposer.
Fonte da imagem: SanDisk

Em contraste, o Google parece pronto para capitalizar a tecnologia HBF como parte de sua ambiciosa estratégia de expansão em IA. O ecossistema de Unidades de Processamento Tensorial (TPU) da gigante da tecnologia está evoluindo rapidamente, com uma linha de soluções de TPU de última geração voltadas para aprimorar as capacidades computacionais. Embora a proeminência do HBF em aplicações mais amplas permaneça incerta, seu potencial para substituir a memória DDR padrão representa um desenvolvimento empolgante na área.

Com o aumento das demandas computacionais, os servidores estão adotando cada vez mais memórias LPDDR (Low Power Double Data Rate), impulsionados pelas limitações impostas pelas CPUs em aplicações de IA. Essa tendência evidenciou a crescente necessidade de memórias LPDDR5 e LPDDR5X, especialmente para configurações de Sistema em Chip (SoCAM) e Módulo Multichip (SOCAMM2).A abordagem inovadora de empilhamento multicamadas da HBF permite que fabricantes de chips e participantes do ecossistema de IA reduzam o tamanho das placas de circuito impresso (PCBs), aumentando a capacidade, mantendo o baixo consumo de energia e alcançando alta taxa de transferência de dados.

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