Samsung oficjalnie rozpoczął masową produkcję i dostawy pamięci HBM4 nowej generacji, charakteryzującej się niesamowitą prędkością dochodzącą do 13 gigabitów na sekundę i obsługą pojemności sięgających 48 gigabajtów.
Samsung wyznacza nowy standard w produkcji pamięci HBM4
Informacja prasowa: Samsung Electronics, lider w dziedzinie zaawansowanych rozwiązań pamięciowych, ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji przełomowej pamięci HBM4. To osiągnięcie wyróżnia Samsunga jako pierwszą firmę w branży, która wprowadziła tę technologię do sprzedaży komercyjnej, umacniając tym samym swoją pozycję lidera na rynku pamięci HBM4.

Dzięki wykorzystaniu najnowocześniejszego procesu pamięci DRAM 10 nanometrów (nm) szóstej generacji firma Samsung osiągnęła stabilną wydajność i doskonałą wydajność od samego początku, bez konieczności dalszych zmian konstrukcyjnych.
Wydajność i efektywność zdefiniowane na nowo
Pamięć HBM4 firmy Samsung osiąga stałą prędkość przetwarzania na poziomie 11, 7 gigabitów na sekundę (Gb/s), przewyższając o około 46% branżowy standard 8 Gb/s. To wyznacza nowy standard wydajności pamięci, stanowiąc znaczącą poprawę w stosunku do poprzedniego standardu HBM3E, który oferował maksymalną prędkość pinów 9, 6 Gb/s. Co więcej, technologia HBM4 toruje drogę do zwiększenia prędkości do 13 Gb/s, skutecznie eliminując wąskie gardła w transmisji danych, co jest szczególnie korzystne w miarę wzrostu zapotrzebowania na modele AI.
Ponadto HBM4 osiąga całkowitą przepustowość pamięci na poziomie 3, 3 terabajta na sekundę (TB/s) na stos, co stanowi imponujący wzrost aż o 2, 7 raza w porównaniu z HBM3E.

Wykorzystując zaawansowaną technikę układania w stosy 12 warstw, dysk HBM4 jest dostępny w pojemnościach od 24 GB do 36 GB, a w planach jest udostępnienie konfiguracji o pojemnościach do 48 GB dzięki układaniu w stosy 16 warstw, zgodnie z przyszłymi wymaganiami klientów.
Aby sprostać rosnącym wyzwaniom związanym z poborem energii i zarządzaniem temperaturą – wynikającym z podwojenia liczby wejść/wyjść z 1024 do 2048 pinów – konstrukcja Samsunga wykorzystuje najnowocześniejsze rozwiązania energooszczędne w rdzeniu. HBM4 charakteryzuje się również imponującym wzrostem efektywności energetycznej o 40% dzięki zaawansowanej technologii TSV i zoptymalizowanemu PDN, co zwiększa rezystancję termiczną o 10% i rozpraszanie ciepła o 30% w porównaniu z HBM3E.
To wyjątkowe połączenie wysokiej wydajności, energooszczędności i niezawodności sprawia, że HBM4 firmy Samsung będzie nieocenionym atutem dla przyszłych środowisk centrów danych, umożliwiając klientom maksymalizację przepustowości procesora graficznego i efektywne zarządzanie całkowitym kosztem posiadania (TCO).
Elastyczne możliwości produkcyjne dla rosnącego rynku HBM
Zaangażowanie Samsunga w udoskonalanie planu rozwoju pamięci HBM jest wzmocnione przez jedną z największych mocy produkcyjnych pamięci DRAM i dedykowaną infrastrukturę produkcyjną w sektorze. Zapewnia to stabilny łańcuch dostaw, który sprosta przewidywanemu wzrostowi popytu na pamięć HBM4.
Zintegrowana technologia współoptymalizacji technologii projektowania (DTCO) pomiędzy segmentami Foundry i Memory gwarantuje najwyższy poziom jakości i wydajności. Dzięki bogatemu doświadczeniu firmy w zakresie zaawansowanych rozwiązań w zakresie pakowania, Samsung usprawnia swoje procesy produkcyjne, minimalizując czas realizacji zamówień i optymalizując wydajność.

Patrząc w przyszłość, Samsung planuje rozszerzyć współpracę techniczną z kluczowymi partnerami, nawiązując współpracę z globalnymi producentami procesorów graficznych i firmami zajmującymi się tworzeniem układów ASIC nowej generacji.
Według prognoz Samsung przewiduje, że sprzedaż HBM wzrośnie ponad trzykrotnie do 2026 roku w porównaniu z rokiem 2025, co skłoni firmę do proaktywnego zwiększenia mocy produkcyjnych HBM4. Po udanym wprowadzeniu na rynek HBM4, w drugiej połowie 2026 roku rozpocznie się produkcja próbek HBM4E, a w 2027 roku klienci będą mogli otrzymać próbki HBM dostosowane do indywidualnych potrzeb.
Dodaj komentarz