최근 인텔의 혁신적인 Z-Angle Memory(ZAM)가 회사가 메모리 시장에 재진출하면서 상당한 주목을 받고 있습니다.예상치 못한 프로토타입 공개 이후, 인텔은 이 기술의 잠재력에 대해 과감한 발언을 했습니다.
인텔과 파트너사들은 열 및 연산 문제를 해결하기 위해 Z각 메모리 기술을 개척하고 있습니다.
수십 년간 DRAM 분야에서 자취를 감췄던 인텔이 소프트뱅크 자회사인 사이메모리(Saimemory)와의 획기적인 파트너십을 통해 다시금 주목받고 있습니다.양사는 협력을 통해 고대역폭 메모리(HBM)가 장악하고 있는 기존 시장에 도전장을 내민 Z-앵글 메모리(ZAM)를 개발했습니다. ZAM에 대한 세부 정보는 이전에도 언급되었지만, 인텔은 PCWatch의 보도에 따르면 인텔 커넥션 재팬 2026 행사 에서 프로토타입을 공개했습니다.이번 첫 공개에서는 ZAM 아키텍처가 기존 기술에서 흔히 발생하는 성능 문제와 발열 문제를 어떻게 해결할 수 있는지에 초점을 맞췄습니다.
인텔 펠로우이자 인텔 정부 기술 부문 CTO인 조슈아 프라이먼과 인텔 재팬 CEO인 마코토 온호 등 주요 인사들이 이 행사에 참석했습니다.지금까지 ZAM은 학계와 언론 발표에만 국한되어 있었지만, 인텔이 작동 프로토타입을 신속하게 공개한 것은 중요한 이정표입니다.이 메모리 기술의 주목할 만한 특징은 기존의 수직 드릴링 방식 대신 다이 스택 내에서 대각선 연결을 사용하는 스태거드 인터커넥트 토폴로지입니다.인텔은 이러한 접근 방식이 ZAM의 열 관리를 향상시켜 고성능 컴퓨팅 환경에 적합한 옵션이라고 주장합니다.
인텔의 ZAM 프로젝트 참여에 대한 구체적인 내용은 아직 확정되지 않았지만, 홍보 자료에 따르면 인텔은 “초기 투자 및 전략적 결정”과 관련된 책임을 맡을 예정입니다. HBM 대비 ZAM의 예상되는 장점에 대해서는 초기 논의에서 다음과 같은 개선 사항이 제시되었습니다.
- 전력 소비량 40~50% 절감
- Z각 상호 연결을 통한 효율적인 제조
- 칩당 저장 용량 증가(최대 512GB)
인텔이 새로운 분야에 진출한다는 전망은 분명히 흥미롭습니다.주요 임원들이 참석한 이번 발표를 통해 인텔은 HBM 시장에 상당한 영향력을 행사하고, 메모리 기술의 판도를 바꿀 잠재력을 보여주고 있습니다.
답글 남기기