삼성의 최첨단 1차원 DRAM(7세대 10nm)은 미래 고대역폭 메모리(HBM) 솔루션을 위해 설계되었지만, 불만족스러운 수율로 인해 생산 개시가 지연될 수 있는 문제에 직면해 있습니다.
삼성의 차세대 HBM5E 메모리 생산에 차질이 생겼습니다.
IT조선 의 최근 보도에 따르면, 삼성전자는 수율 저하 문제로 첨단 10nm 공정 기술 기반의 1차원 D1D DRAM 양산을 재고하고 있는 것으로 알려졌습니다.이러한 상황은 삼성전자가 차세대 HBM 솔루션 개발 계획을 중단할 가능성을 시사합니다.
DRAM 기술은 이전에 사전 생산 승인(PRA)을 받았지만, 실제 수율이 설정된 목표치를 충족하지 못하기 때문에 시험 생산을 시작하거나 본격적인 대량 생산으로 나아가는 데 대한 투자 수익률(ROI)에 대한 우려가 제기되었습니다.
삼성전자는 D1d 수율이 목표 수준에 도달할 때까지 양산을 무기한 연기할 계획이며, 현재로서는 재개 시점이 정해지지 않았다고 내부 사정에 정통한 소식통이 전했다.그는 또한 “삼성은 공정 로드맵을 전면 재검토하여 수율을 더욱 높이는 데 집중하고 있다”고 덧붙였다.
IT조선 제공, 기계 번역
삼성의 D1d DRAM 기술의 성공은 향후 HBM 메모리 로드맵, 특히 회사가 출시할 것으로 예상되는 9세대 HBM 솔루션인 HBM5E에 매우 중요합니다.
현재 1c DRAM 기술은 HBM4, HBM4E, HBM5의 세 가지 HBM 세대에 걸쳐 사용되고 있습니다. HBM4는 올해 하반기에 출시될 예정이며, 주로 NVIDIA의 Vera Rubin 및 AMD의 MI400 플랫폼에 탑재될 것으로 예상됩니다. HBM4E는 Rubin Ultra 및 MI500 가속기를 지원할 것으로 보입니다.또한, HBM5 및 맞춤형 설계는 NVIDIA의 Feynman 시리즈 및 기타 경쟁 제품에도 채택될 것으로 예상됩니다.
최근 삼성전자가 HBM 개발 주기를 대폭 단축하려는 계획을 밝혔다는 보도가 있었습니다.이러한 전략은 새로운 HBM 솔루션 개발 속도를 높일 수 있지만, 양산 준비를 완벽하게 보장하는 것은 아닙니다.개발 단계와 양산 주기의 차이는 양산 준비 상태가 잠재적인 병목 현상이 될 수 있음을 시사하며, 이는 최근 분석에서도 강조된 부분입니다.
또한 삼성전자는 한국 온양에 대규모 반도체 제조 공장 건설에 상당한 투자를 단행했습니다.축구장 4개 크기에 버금가는 이 공장은 HBM을 비롯한 차세대 DRAM 제품을 생산할 예정입니다.포장, 테스트, 물류, 품질 관리 등 모든 생산 단계를 담당하여 지속적인 생산 활동에서 높은 품질 기준을 보장할 것입니다.
[단독] 삼성전자, 온양에 축구장 4개 규모 반도체 제조공장 건설… 핵심 후공정 허브로 거듭날 전망.삼성전자는 HBM(고대역폭 메모리) 경쟁력을 후공정 중심으로 재편하고 있다.pic.twitter.com/WFZdao3MVI
— 주칸(@jukan05) 2026년 4월 21일
급변하는 반도체 산업 환경에서 기업들은 최고의 AI 기업들과의 중요한 파트너십 확보를 위해 경쟁하고 있습니다.성공의 열쇠는 HBM 전략을 다각화하고, 만족스러운 수율과 견고한 투자 수익률(ROI)을 유지하면서 일관된 개발 및 생산 계획을 수립하는 데 있습니다.
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