ASMLは、AIサプライチェーンの問題に対処するため、EUV出力を1キロワットに増強し、この10年間でチップ生産量を50%増加させる計画だ。

ASMLは、極端紫外線（EUV）リソグラフィー技術の最新技術により、半導体メーカーの生産量を大幅に増強する準備が整っています。このオランダの半導体製造大手は、光源能力を強化し、製造施設の生産性を大幅に向上させることを約束しています。

ASMLの強化されたEUV光源は、設備のアップグレードを待ってファブの生産量を押し上げる

半導体業界は現在、ファブレス企業による民生用電子機器とエンタープライズレベルのAIアプリケーションの両方に対する需要の急増に支えられ、スーパーサイクルの渦中にあります。TSMCなどの業界大手は深刻な供給制約に直面しており、製造ネットワークの拡大競争が激化しているとの報道が出ています。こうした課題への対応として、ASMLは革新的なソリューションを発表しています。最近のロイターの記事によると、ASMLはEUV光源の出力を600Wから1キロワットへと大幅に向上させることで、画期的な進歩を遂げました。この進歩により、今後10年間で半導体生産量を50%以上増加させる可能性があります。

これは、ごく短時間で動作を実証するような、ちょっとした小技のようなものではありません。顧客が求めるのと全く同じ条件で1, 000ワットの電力を生産できるシステムです。

– ASMLのマイケル・パービス

ASMLは、予想される電力増強により、生産コストを一定に保ちながら、シリコンウェーハの生産速度を1時間あたり220枚から約330枚に向上できると見積もっています。この開発は、既存のチップ供給制約に対する有望な解決策となります。ASMLは、これらのアップグレードを世界中の半導体メーカーに導入する時期をまだ明確にしていませんが、ファブの経済性を劇的に変化させる可能性は依然として明らかです。クリーンルームの容量増加や新規設備を必要とせずにチップ生産量を50%増加させることは、業界にとって画期的な進歩です。

ASMLの戦略における注目すべき点の一つは、アップグレードされたEUV光源を既存の製造プロセスに統合することです。同社は、装置全体をオーバーホールすることなく装置のアップグレードを容易にする「生産性向上パッケージ」（PEP）を提供しています。しかし、NXE:3400C/Dなどの旧モデルでは熱的制約があり、1, 000W光源の導入を余儀なくされました。現在の焦点は、既存のNXE:3800E構成と、近日発売予定の高NA EXE:5000/5200モデルの最適化へと移行する可能性があります。

強化された光源に関連する電源の安定性、冷却システム、水素フローの管理に関する課題があるにもかかわらず、現在のチップ生産のボトルネックの緊急性を考えると、製造施設は ASML の最新の技術開発を楽観的に見ている可能性が高い。

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