Samsung a fait la une des journaux en produisant le premier module DRAM autonome au monde utilisant une technologie de gravure inférieure à 10 nm.
La technologie DRAM révolutionnaire de Samsung, inférieure à 10 nm, améliore la densité et utilise des matériaux innovants.
L’industrie de la DRAM s’est traditionnellement appuyée sur une norme technologique de gravure de 10 nm, qui englobe diverses itérations telles que 1x, 1y, 1a, 1b, 1c et 1d. Cependant, Samsung innove avec sa future technologie de gravure 10a, qui devrait descendre en dessous de la limite officielle de 10 nm.
Samsung Electronics a produit la première puce DRAM fonctionnelle au monde gravée en nanomètres (un seul chiffre).L’entreprise prévoit d’améliorer rapidement le rendement en ajustant les paramètres de fabrication en fonction de cette puce.
D’après des sources industrielles, Samsung Electronics aurait confirmé le 24 le bon fonctionnement d’une puce lors du contrôle de ses caractéristiques après la production de plaquettes selon le procédé 10a le mois dernier. Ce résultat est le fruit de la première application de la structure à cellules carrées 4F et du procédé VCT (Vertical Channel Transistor).
La nouvelle technologie de gravure 10a devrait permettre d’atteindre des dimensions comprises entre 9, 5 nm et 9, 7 nm, marquant ainsi une étape importante pour l’industrie puisqu’il s’agit du premier procédé inférieur à 10 nm. Parmi les éléments novateurs qui rendent cette avancée figurent la structure innovante de cellule carrée 4F et la technique du transistor à canal vertical (VCT).
Samsung ambitionne de finaliser le développement de sa technologie DRAM 10a d’ici la fin de l’année, avec une production de masse prévue pour 2028. Les améliorations introduites avec la version 10a serviront de base aux futures itérations, notamment les versions 10b et 10c, tandis que la version 10d devrait évoluer vers la technologie DRAM 3D d’ici 2029-2030.
Actuellement, la plupart des puces DRAM utilisent une structure 6F, ce qui leur confère une forme rectangulaire de 3F x 2F. Le passage à une structure 4F permet d’obtenir une forme carrée de 2F x 2F, offrant ainsi aux fabricants de DRAM la possibilité d’accroître considérablement la densité de cellules par circuit intégré, de l’ordre de 30 à 50 %.Cette amélioration augmente non seulement la capacité, mais contribue également à une consommation d’énergie plus efficace.
De plus, la nouvelle technologie DRAM de Samsung intégrera des matériaux avancés comme l’oxyde d’indium-gallium-zinc (IGZO), remplaçant ainsi le silicium traditionnel utilisé dans les produits précédents. L’utilisation de l’IGZO réduit les fuites dans les cellules plus étroites, ce qui améliore la rétention des données.
Les concurrents, dont Micron, reportent actuellement leurs développements en matière de mémoire 4F, préférant se concentrer sur les solutions DRAM 3D. Les fabricants chinois rencontrent des difficultés pour produire de la DRAM 3D avancée en raison d’un accès limité aux outils de lithographie de pointe. Néanmoins, la conception de la DRAM 3D présente des similitudes avec celle de la NAND 3D, offrant potentiellement aux entreprises chinoises une voie d’innovation. Parallèlement, la course au développement de la DRAM 3D s’accélère, alimentée par la demande croissante du secteur de l’IA.
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