La mémoire innovante Z-Angle Memory (ZAM) d’Intel a récemment suscité un vif intérêt, marquant le retour de l’entreprise sur le marché de la mémoire. Suite à la présentation inattendue d’un prototype, Intel a fait des déclarations audacieuses quant au potentiel de cette technologie.
Intel et ses partenaires innovent dans le domaine de la mémoire à angle Z pour relever les défis thermiques et informatiques.
Après des décennies d’absence du secteur de la DRAM, Intel fait son grand retour grâce à un partenariat novateur avec Saimemory, filiale de SoftBank. Leur collaboration donne naissance à la mémoire à angle Z (ZAM), conçue pour concurrencer le monopole actuel de la mémoire à large bande passante (HBM).Bien que les détails concernant la ZAM aient déjà été évoqués, Intel a présenté un prototype lors de l’ événement Intel Connection Japan 2026, comme l’a rapporté PCWatch. Cette présentation inaugurale a principalement mis en lumière comment l’architecture de la ZAM peut résoudre les problèmes de performance et les contraintes thermiques généralement rencontrés par les technologies existantes.
Des personnalités clés telles que Joshua Fryman, Intel Fellow et directeur technique d’Intel Government Technologies, et Makoto Onho, PDG d’Intel Japon, étaient présentes à l’événement. Jusqu’à présent, la technologie ZAM était restée cantonnée aux milieux universitaires et aux communiqués de presse ; toutefois, la présentation rapide par Intel d’un prototype fonctionnel marque une étape importante. Une caractéristique notable de cette technologie de mémoire est sa topologie d’interconnexion décalée, qui utilise des connexions diagonales au sein de la pile de puces, contrairement au perçage vertical traditionnel. Intel affirme que cette approche améliore la gestion thermique de la ZAM, ce qui en fait une option intéressante pour les besoins de calcul avancé.
Bien que les détails de l’implication d’Intel dans l’initiative ZAM soient encore en cours de clarification, leurs documents promotionnels indiquent que l’entreprise assumera des responsabilités liées aux « investissements initiaux et aux décisions stratégiques ».Quant aux avantages attendus de la ZAM par rapport à la HBM, les premières discussions suggèrent les améliorations suivantes :
- Consommation d’énergie réduite de 40 à 50 %
- Fabrication rationalisée grâce aux interconnexions en Z
- Capacité de stockage accrue par puce (potentiellement jusqu’à 512 Go)
L’arrivée d’Intel sur un nouveau segment est indéniablement prometteuse. Avec la présence de dirigeants de renom lors de la présentation, l’entreprise semble prête à marquer durablement le marché de la mémoire HBM, et potentiellement à redéfinir le paysage des technologies de mémoire.
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