Intel se está posicionando estratégicamente para aprovechar la creciente demanda de DRAM al colaborar con una subsidiaria de SoftBank para presentar una tecnología de memoria innovadora conocida como «ZAM».Esta iniciativa llega en un momento en que la proliferación de la infraestructura de inteligencia artificial (IA) ha provocado aumentos sin precedentes en los requisitos de DRAM, particularmente entre los hiperescaladores y los fabricantes de semiconductores.
Eficiencia energética mejorada con los módulos de memoria ZAM de Intel
La cadena global de suministro de memoria está experimentando importantes limitaciones debido a la disponibilidad limitada de los proveedores actuales, lo que pone de relieve la apremiante necesidad de nuevos participantes en el mercado. En este contexto, Intel lidera una nueva iniciativa en el sector de la memoria. La empresa se ha asociado con Saimemory de SoftBank para formular un nuevo estándar denominado Memoria de Ángulo Z (ZAM).
Los esfuerzos iniciales de desarrollo para la tecnología de memoria ZAM provienen del programa de Tecnología de Memoria Avanzada (AMT) iniciado por el Departamento de Energía de EE. UU. Durante este proceso, Intel presentó su tecnología de enlace de vanguardia para la DRAM de próxima generación. Si bien los anuncios de SoftBank no profundizan en el posicionamiento específico de la memoria ZAM, los análisis de las estrategias de enlace de Intel sugieren que ZAM probablemente empleará una topología de interconexión escalonada, lo que facilitará las conexiones diagonales a lo largo de la pila de chips en lugar de la perforación vertical convencional.
Las arquitecturas de memoria estándar no pueden satisfacer las necesidades de la inteligencia artificial. NGDB define un enfoque completamente nuevo que acelerará nuestra transición hacia la próxima década.
Estamos repensando cómo se organiza la DRAM para avanzar fundamentalmente en la arquitectura del sistema informático, con el objetivo de lograr mejoras de rendimiento de órdenes de magnitud e incorporar la innovación a los estándares de la industria.
– Funcionarios de Intel sobre la unión de DRAM de próxima generación
El diseño de memoria de ángulo Z busca utilizar una mayor sección de silicio para las celdas de memoria, lo que facilita una mayor densidad y reduce la resistencia térmica. Este innovador enfoque podría incorporar técnicas de unión híbrida cobre-cobre, lo que permite conexiones más eficientes entre capas y crea un bloque de silicio cohesivo en lugar de pilas discretas. Además, se espera que ZAM sea un diseño sin condensadores, que integre el Puente de Interconexión Multi-Die Integrado (EMIB) de Intel para una conectividad fluida entre la memoria y los procesadores de IA.

Esta colaboración entre SoftBank e Intel está lista para otorgar a esta última la propiedad de la tecnología de pila de memoria, lo que podría revelar avances con Circuitos Integrados de Aplicación Específica (ASIC) personalizados, incluyendo la serie Izanagi. Si bien las métricas de rendimiento exactas que comparan ZAM con la memoria de alto ancho de banda (HBM) aún no se han revelado, los primeros indicios sugieren que el diseño Z-Angle podría ofrecer:
- Reducción del 40-50% en el consumo de energía
- Fabricación optimizada mediante interconexiones en ángulo Z
- Capacidad de almacenamiento mejorada por chip (hasta 512 GB)
Esto marca un notable resurgimiento para Intel en el sector de la DRAM, ya que el gigante tecnológico operó en este mercado hasta 1985, cuando se retiró debido a la intensificación de la competencia de las empresas japonesas. Dada la dinámica actual del mercado y el inmenso potencial en el sector de la memoria, será interesante observar cómo evoluciona la tecnología ZAM de Intel y si logra ganar terreno entre los líderes de la industria, incluyendo a grandes empresas como NVIDIA.
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