Intels ZAM-Speicher: Stromsparende, hochdichte HBM-Alternative erhält bedeutende Unterstützung aus Japan

Intel hat aufregende Neuigkeiten zu seiner ZAM-Speicherinitiative, die in Zusammenarbeit mit der SoftBank-Tochter SAIMEMORY entwickelt wird. Das Projekt hat in letzter Zeit dank der Unterstützung Japans deutlich an Dynamik gewonnen.

Japan beschleunigt die Entwicklung von ZAM-Speichern in Zusammenarbeit mit Intel und SoftBank

In einer kürzlich veröffentlichten Mitteilung gaben Intel Kabushiki Kaisha (Intel KK) und SAIMEMORY bekannt, dass die japanische Organisation für die Entwicklung neuer Energien und industrieller Technologien (NEDO) offiziell ZAM ausgewählt hat – einen hochmodernen Speicherstandard, der als Nachfolger von High Bandwidth Memory (HBM) vorgesehen ist.

Das gemeinsam mit SAIMEMORY vorangetriebene und auf der diesjährigen Intel Connection Japan 2026 angekündigte Projekt zur Entwicklung von Speichermodulen der nächsten Generation wurde von NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization) mit einem Stipendium ausgezeichnet. Dies ermöglicht uns die Entwicklung von Z-Angle Memory (ZAM), einer gestapelten DRAM-Architektur der nächsten Generation für das KI-Zeitalter… pic.twitter.com/G8vE17gKb2

— Intel [Offiziell] (@IntelJapan) 24. April 2026

Diese Unterstützung durch NEDO bedeutet, dass das Projekt durch staatliche Subventionen finanziert wird, wodurch seine Weiterentwicklung beschleunigt wird, um die anhaltenden Herausforderungen im Zusammenhang mit Speicherengpässen, insbesondere in den Bereichen künstliche Intelligenz (KI) und Hochleistungsrechnen (HPC), zu bewältigen.

Das Anfang des Jahres gestartete ZAM-Projekt hat sich zum Ziel gesetzt, in Zusammenarbeit mit SoftBank die aktuelle Speicherkrise zu bewältigen. ZAM (Z-Angle Memory) zeichnet sich durch hohe Speicherdichte, große Bandbreite und geringen Stromverbrauch aus. Die Initiative nutzt ein globales Netzwerk von Technologie-, Fertigungs- und Lieferkettenpartnern, das für die Entwicklung und die großflächige Vermarktung von entscheidender Bedeutung ist.

„Intel hat jahrelang die wissenschaftlichen Grundlagen von ZAM erforscht, von den nationalen Laboren des US-Energieministeriums bis hin zu unserer Initiative für DRAM-Bonding der nächsten Generation. Wir sind überzeugt, dass diese Auszeichnung die weltweite Einführung dieser Technologie beschleunigt und die US-japanische Technologiepartnerschaft stärkt, die in den kommenden Jahren von enormer Bedeutung sein wird.“ – Makoto Ohno, Präsident von Intel KK

Technisch gesehen ist Intels ZAM (Z-Angle Memory) darauf ausgelegt, den Stromverbrauch um 40–50 % zu senken, ein vereinfachtes Design für eine leichtere Fertigung zu bieten und Speicherdichten von bis zu 512 GB pro Chip zu unterstützen. Jeder ZAM-Speicherstapel besteht aus dicht geschichteten DRAM-ICs, die über Z-Angle-Verbindungen miteinander verbunden sind. Die Anbindung an den primären Rechenchip erfolgt über eine eingebettete Multi-Die-Interconnect-Bridge (EMIB) unterhalb des Basischips.

Eine Präsentationsfolie mit dem Titel „KI-Superzyklus“ hebt die Partnerschaften zwischen Intel, SoftBank und SAIMEMORY hervor und betont ZAM (Z-Angle Memory) und seine Vorteile beim Speicherdesign, die durch Leistungs- und Wärmebeschränkungen bedingt sind. — Bildnachweis: PCWatch

Die bevorstehende Einführung von ZAM markiert für Intel eine bedeutende Rückkehr auf den Speichermarkt nach mehreren Jahrzehnten. Intel war in der Vergangenheit führend in der Speicherproduktion, bevor das Unternehmen gegenüber japanischen Firmen Marktanteile verlor. Nun spielen ebendiese Unternehmen eine entscheidende Rolle bei der Verwirklichung der ZAM-Vision.

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