TSMC inicia construção de instalação de 1,4 nm em Taiwan até 2025, mas não utilizará a tecnologia EUV de alta NA da ASML para este processo

A TSMC está se preparando para iniciar a produção de wafers de 2 nm até o final de 2025. No entanto, a maior produtora de semicondutores do mundo já está de olho em uma técnica de fabricação ainda mais avançada: a tecnologia de 1, 4 nm, também conhecida como A14. Relatórios recentes indicam que a TSMC iniciará o trabalho fundamental na fabricação de wafers de 1, 4 nm em Taiwan. Notavelmente, a empresa parece pronta para ignorar o equipamento de litografia EUV de alta NA, recentemente desenvolvido pela ASML e proibitivamente caro.

Abordagem inovadora da TSMC: utilizando técnicas de multipadronização em EUV de alta NA

De acordo com o Commercial Times, a construção de uma nova unidade de fabricação de 1, 4 nm em Taichung deve começar até o final do ano, mas a produção em massa pode não começar antes do segundo semestre de 2028. A TSMC já havia delineado esse cronograma e declarado que seu processo A14 poderia levar a uma redução do consumo de energia em até 30%.

A pesquisa e o desenvolvimento do processo de 1, 4 nm ocorrerão nas instalações existentes da TSMC em Hsinchu. A empresa já está em fase de recrutamento na unidade de Taichung, com licenças de construção para três novos edifícios aprovadas em agosto. Para concretizar esses planos ambiciosos, o investimento inicial da TSMC deverá ultrapassar NT$ 1, 5 trilhão, aproximadamente o equivalente a US$ 49 bilhões, destinando recursos significativos para a compra de 30 máquinas de litografia EUV, prevista para 2027.

Conforme relatado por Dan Nystedt no X, a decisão da TSMC de não investir nos sistemas EUV de alta NA da ASML provavelmente se deve ao custo exorbitante dessas máquinas, avaliadas em cerca de US$ 400 milhões cada. Esse preço representa um desafio financeiro substancial. A TSMC afirmou, de forma assertiva, que sua infraestrutura atual é capaz de facilitar a produção em massa de wafers de 1, 4 nm, optando, em vez disso, por métodos complexos de multipadronização, muito semelhantes aos empregados pela SMIC em seus processos de 5 nm.

Embora a alternativa escolhida pela TSMC apresente certas desvantagens, como o potencial aumento de tempo e custos associados à otimização do rendimento, a empresa está preparada para embarcar em um processo de “tentativa e erro” para refinar seu processo de fabricação de 1, 4 nm. A principal diferença entre a TSMC e sua concorrente SMIC é que a TSMC possui recursos especializados de EUV que auxiliarão nessa empreitada. Considerando que a produção em massa ainda está a alguns anos de distância, a TSMC tem amplas oportunidades para aprimorar e otimizar essa tecnologia de ponta.

Fonte da notícia: Commercial Times

Fonte e Imagens