TSMC ignorará tecnologia EUV de alta NA para nó A14 (1,4 nm), com foco em custo-benefício em vez de desempenho

Parece que a TSMC, a potência taiwanesa em semicondutores, não tem pressa em adotar a tecnologia de litografia ultravioleta extrema (EUV) de alta NA. Desenvolvimentos recentes indicam que a empresa planeja abandonar essa abordagem de ponta em favor de métodos já estabelecidos para sua futura produção de chips A14.

Mudança estratégica da TSMC: enfatizando tecnologias convencionais em detrimento de EUV de alta NA

Historicamente, a TSMC tem estado na vanguarda dos avanços na tecnologia de semicondutores, frequentemente liderando o setor com suas práticas inovadoras. No entanto, durante o recente Simpósio de Nanotecnologia, o vice-presidente sênior da TSMC, Kevin Zhang, anunciou que a empresa não implementará a litografia EUV de alta NA para o processo A14. Em vez disso, utilizará a tecnologia tradicional EUV de 0, 33 NA. Essa mudança coloca a TSMC atrás de concorrentes como a Intel Foundry, que adotaram ferramentas de litografia mais recentes.

A TSMC não usará litografia EUV de alta NA para padronizar chips A14, cuja fabricação está programada para começar em 2028. De 2 nanômetros a A14, não precisamos usar alta NA, mas podemos continuar a manter uma complexidade semelhante em termos de etapas de processamento.

A cada geração de tecnologia, buscamos minimizar o aumento do número de máscaras. Isso é muito importante para oferecer uma solução econômica.

– Kevin Zhang, da TSMC

A principal consideração que norteou a decisão da TSMC é o aumento substancial nos custos de produção associados à adoção da litografia EUV de alta NA. Relatórios sugerem que a utilização da litografia de alta NA poderia inflar os custos em até 2, 5 vezes em comparação com os métodos EUV padrão. Um aumento tão drástico tornaria o processo A14 proibitivamente caro e, por sua vez, complicaria sua integração em produtos de consumo.

Máquinas de litografia EUV de alta NA da ASML — Créditos da imagem: ASML

Para complicar ainda mais o cenário, a natureza do design do chip A14 exige múltiplas máscaras para cada camada. A implementação da litografia de alta NA aumentaria os custos com ROI limitado; em vez disso, a TSMC está se concentrando na abordagem EUV de 0, 33 NA. Essa estratégia permite que a empresa utilize técnicas de multipadronização, mantendo a complexidade do design e, ao mesmo tempo, reduzindo os custos gerais de produção.

Curiosamente, a relutância da TSMC em adotar a litografia EUV de alta NA a coloca em desvantagem competitiva. A Intel Foundry está supostamente preparada para utilizar a tecnologia de alta NA em seu próximo processo 18A, com lançamento previsto para o próximo ano. Isso posiciona a Intel para obter uma vantagem tecnológica sobre a TSMC, que planeja seu nó A14P para 2029, adiando efetivamente o uso da litografia de alta NA em pelo menos quatro anos. Essa escolha estratégica pode proporcionar à Intel e a outros concorrentes uma vantagem significativa no mercado de semicondutores.

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