Tecnologia GAA de 2 nm da Samsung: analistas preveem rendimento melhorado com o lançamento da produção em massa em 10 meses

A jornada da Samsung para aumentar os rendimentos de seu inovador processo Gate-All-Around (GAA) de 3 nm foi repleta de inúmeros desafios, lançando dúvidas sobre sua capacidade de fazer uma transição suave para a produção em massa de wafers GAA de 2 nm. Curiosamente, a empresa demonstrou resiliência, desafiando as expectativas em meio à adversidade.

Análises recentes destacam uma melhora marcante no rendimento da Samsung para seus nós de ponta, observando que os avanços feitos superam as limitações que atormentavam sua tecnologia de 3 nm. No entanto, a empresa deve continuar a se esforçar para atingir a excelência, pois o tempo está passando.

Status de rendimento atual do processo GAA de 2 nm da Samsung

Em relatórios anteriores, foi revelado que os rendimentos iniciais da Samsung durante o estágio de teste para seu Exynos SoC de próxima geração ficaram em modestos 30 por cento para o processo GAA de 2 nm. Em comparação, a TSMC — principal concorrente da Samsung — alcançou um notável rendimento de 60 por cento em sua própria produção de teste, ampliando a lacuna tecnológica entre os dois gigantes da indústria. No entanto, o desempenho da Samsung durante a produção de teste do próximo Exynos 2600 demonstra um progresso significativo, com rendimentos atingindo 30 por cento.

Embora haja um progresso considerável, a Samsung ainda tem um trabalho substancial a realizar antes que possa apresentar com orgulho essa tecnologia avançada a clientes em potencial e recuperar sua participação de mercado perdida. Com a pressão crescente, o cronograma é crítico; os relatórios indicam que a Samsung tem aproximadamente 10 meses restantes para iniciar a produção real de wafers GAA de 2 nm. Os analistas estão otimistas, reconhecendo que se as tendências atuais continuarem, a Samsung pode gerar rendimentos suficientes para atrair clientes em potencial.

Além disso, no quarto trimestre do ano passado, a divisão de fundição da Samsung havia iniciado a instalação do equipamento necessário para estabelecer uma linha de produção de GAA de 2 nm dentro da unidade S3 em Hwaseong. A estratégia envolve adaptar a linha GAA de 3 nm existente — que produz cerca de 15.000 folhas por mês usando wafers de 12 polegadas — em uma linha de produção dedicada de 2 nm. A produção de teste pode ocorrer já neste ano, e atualizações serão fornecidas para manter os leitores informados sobre o progresso ou os contratempos da Samsung.

Para mais detalhes, consulte o relatório original da Chosun.

Fonte: WccfTech