Samsung finaliza projeto básico para o processo GAA de 2 nm de segunda geração, visando integrar a tecnologia em futuros chipsets Exynos e muito mais

A Samsung está avançando significativamente no mercado de fundição com seus avanços na tecnologia Gate-All-Around (GAA) de 2 nm de primeira geração. Relatos indicam que a gigante sul-coreana da tecnologia não está apenas recuperando o impulso, mas também pode desafiar o domínio da TSMC nos próximos anos. Recentemente, foi confirmado que a Samsung concluiu o projeto fundamental para seu nó GAA de 2 nm de segunda geração. Espera-se que essa nova tecnologia desempenhe um papel crucial na produção em massa dos próximos sistemas em chips (SoCs) Exynos.

Avanços na tecnologia GAA de 2 nm: um caminho para um desempenho aprimorado

Conhecido como SF2P, insights detalhados da publicação sul-coreana ZDNet destacam a ambição da Samsung de revitalizar sua competitividade no setor de fundição com este processo GAA de 2 nm de última geração. Atualmente, a empresa está avançando na produção em massa de seu protótipo Exynos 2600, com suas divisões de semicondutores e LSI visando uma meta de rendimento de 50% em poucos meses. Esses desenvolvimentos sugerem que a Samsung está a caminho de estabelecer uma presença sólida no mercado, evidenciada pelas promoções em torno de sua tecnologia SF2P iniciadas tanto pela empresa quanto por casas de design.

O cronograma para a produção em massa está definido para o próximo ano, dependendo da conclusão bem-sucedida da fase de testes. Se tudo correr bem, a tecnologia GAA de 2 nm de segunda geração permitirá que a Samsung aprimore significativamente os futuros chipsets Exynos. Comparada à sua antecessora, a tecnologia SF2P promete um aumento notável de desempenho de 12%, uma redução de 25% no consumo de energia e uma redução de 8% no tamanho da área. Embora o relatório não divulgue clientes específicos interessados neste novo processo de fabricação, a Qualcomm surge como uma provável concorrente.

Especificamente, espera-se que o Snapdragon 8 Elite Gen 2 da Qualcomm, desenvolvido especialmente para a próxima série Galaxy S25, utilize os wafers GAA de 2 nm da Samsung para sua produção em massa. Essa colaboração sugere a potencial estratégia da Qualcomm para diversificar o fornecimento, equilibrando a produção entre a Samsung e a TSMC.À medida que os desenvolvimentos no nó GAA de 2 nm de primeira geração prosseguem, é crucial fomentar a concorrência nesse setor, garantindo que as principais empresas de fundição ofereçam seus melhores produtos.

Para obter informações mais detalhadas, consulte o relatório da ZDNet.

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