Samsung busca estabilização de 70% no rendimento da produção de chips de 2 nm até 2025 para garantir grandes pedidos da Qualcomm e mais

Os desafios atuais da Samsung no setor de semicondutores estão significativamente ligados às suas dificuldades com as taxas de rendimento, particularmente na adoção da tecnologia Gate-All-Around (GAA) de 3 nm. Apesar desse contratempo, a empresa está buscando uma recuperação estratégica, concentrando seus esforços no futuro nó GAA de 2 nm. Relatórios indicam que a Samsung optou por priorizar esse processo de fabricação em vez do nó de 1, 4 nm, que está atrasado, para recuperar negócios de parceiros perdidos como a Qualcomm. No entanto, alcançar a paridade competitiva com a TSMC levará um tempo considerável; a empresa está trabalhando para estabilizar as taxas de rendimento para atingir 60-70% até o final do ano.

Renovação do interesse da Qualcomm na tecnologia GAA de 2 nm da Samsung para Snapdragon 8 Elite Gen 2

Desde o anúncio dos resultados do primeiro trimestre de 2025, a Samsung tem se concentrado em estabilizar os rendimentos do seu processo GAA de 2 nm. A empresa planeja iniciar a produção em larga escala no segundo semestre de 2025. Embora as taxas de rendimento atuais girem em torno de 30% — abaixo do ideal —, a Samsung pretende aumentá-las para 50% em breve, com expectativas de aumentá-las ainda mais para 60-70% até o final do ano, de acordo com reportagens do The Bell.

Mesmo que a Samsung consiga atingir suas metas de produtividade, esse sucesso dependerá do restabelecimento de parcerias com clientes importantes como a Qualcomm. Ao contrário das especulações anteriores de que a Qualcomm havia retirado pedidos da Samsung, relatórios recentes sugerem que a fabricante de chips sediada na Califórnia ainda está utilizando a tecnologia GAA de 2 nm da Samsung para o projeto Snapdragon 8 Elite Gen 2, que circulava anteriormente sob o codinome Kaanapali S.

Dadas as dificuldades financeiras da Samsung devido à falta de pedidos de chips, a urgência em retificar seus desafios operacionais é evidente. Para demonstrar seu compromisso em construir colaborações frutíferas no mercado de semicondutores de alto risco, a empresa concluiu o projeto fundamental para seu nó GAA de 2 nm de segunda geração. Além disso, a Samsung planeja integrar sua tecnologia GAA de 2 nm de terceira geração, denominada SF2P+, nos próximos dois anos. No entanto, é fundamental que esses avanços se traduzam em novos pedidos de clientes.

Para mais informações, consulte o artigo detalhado no The Bell.

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