O chipset 18A-P da Intel: alcançando um aumento de velocidade de 9%, condutividade térmica 50% melhorada e designs de cantos assimétricos aprimorados para atrair clientes de fundição.

A Intel está atualmente aprimorando sua tecnologia de processo 18A, particularmente a variante 18A-P, que foi projetada para melhorar o desempenho e a eficiência energética para clientes externos, enquanto se prepara para aumentos significativos no volume de produção do Panther Lake.

O nó de processo 18A-P: principais vantagens para clientes externos

À medida que a empresa se prepara para a conferência VLSI agendada para junho, compartilhou informações preliminares sobre o 18A-P, destacando avanços que melhoram sua competitividade no mercado de fundição. A Intel posiciona a página da VLSI como uma fonte para atualizações futuras:

O Intel 18A-P é uma tecnologia de transistor RibbonFET com arquitetura gate-all-around (GAA) de desempenho aprimorado e com alimentação pela parte traseira através do PowerVia. Em comparação com o Intel 18A, o Intel 18A-P oferece uma redução de consumo de energia de mais de 18% com o mesmo desempenho ou um ganho de desempenho de mais de 9% com o mesmo consumo de energia. Essa melhoria é alcançada por meio de novos recursos tecnológicos, aprimoramento do desempenho dos transistores, melhoria das interconexões e co-otimizações de tecnologia de projeto (DTCO).

Os recursos adicionais do Intel 18A-P incluem pares lógicos VT adicionais, redução da distorção de cantos, novos dispositivos de baixo consumo de energia nas bibliotecas de alta densidade (HD) e alto desempenho (HP), além de dispositivos HP com desempenho aprimorado em ambas as bibliotecas. Adicionalmente, o Intel 18A-P oferece menor resistência térmica para melhor condução de calor.

Fonte da imagem: Dr. Ian Cutress (via VLSI)

A tecnologia 18A-P da Intel promete um aumento notável de aproximadamente 9% no desempenho com níveis de potência equivalentes, ou uma redução de aproximadamente 18% no consumo de energia para o mesmo desempenho em comparação com o processo 18A. Isso posiciona o 18A-P como uma versão refinada de seu antecessor, preparada para atender às crescentes demandas das aplicações modernas de semicondutores.

As principais melhorias na lista de recursos indicam continuidade na altura da biblioteca e no espaçamento entre os contatos de polissilício, enquanto as atualizações notáveis incluem a introdução de novos transistores de baixa e alta potência, um aumento no número de pares lógicos VT de quatro para cinco ou mais e a implementação de cantos de distorção mais rigorosos para otimizar a variabilidade de desempenho.

Intel 18A vs.18A-P: Uma Visão Geral Comparativa

Categoria	Recurso	18A	18A-P
Desempenho	Desempenho @ Iso-Power	1x	Ganho de desempenho de 9% no Iso-Power
Regras de projeto	Passo do polissilício contatado (nm)	50	50
Altura da biblioteca (nm)	—	180 / 160	180 / 160
Transistor	Dispositivos disponíveis	Z2, Z3	Z1, Z2, Z3, Z1 (Baixa Potência), Z1.5 (Baixa Potência), Z3P (Contato HP)
Opções VT	Pares de VT lógicos	4 pares de VTs lógicos	Mais de 5 pares de VTs lógicos (Novo VT lógico entre ULVT e LVT) ULVT inferior
Cantos Oblíquos	—	—	Aperto de aproximadamente 30% nos cantos oblíquos
Interconexão RC	—	Processo base Intel 18A	Redução V0-V2 R, passos M2-M4
térmicas	—	—	Melhoria da condutividade térmica em 50%

Entre os avanços mais significativos está o aumento de 50% na condutividade térmica. Embora isso não signifique que os chips operarão em temperaturas mais baixas, indica uma melhoria na capacidade de transferência de calor, o que é crucial para manter o desempenho sob carga.

A Intel também visualizou os ganhos de desempenho da tecnologia 18A-P por meio de gráficos que comparam as frequências do oscilador de anel com a capacitância normalizada, demonstrando a velocidade superior e a eficiência energética proporcionadas pelo novo processo.

Um gráfico intitulado '180CH' compara dispositivos com capacitância normalizada versus frequência do oscilador de anel, mostrando avanços com dispositivos 'Intel 18A-P' destacados como um 'Novo dispositivo com contatos de alto desempenho'.

Rótulo	Cor/Forma	Significado
W1	Pontos verdes	Novo dispositivo com contatos de alto desempenho — o cluster de melhor desempenho com a maior frequência de oscilador de anel.
W2	Quadrados escuros + verde	Etapa intermediária que demonstra mobilidade aprimorada (os elétrons se movem com mais facilidade pelo canal).
W3	quadrados escuros	Mais iterações resultam em melhor desempenho.
W3P	Pontos azuis	Novo dispositivo com contatos de alto desempenho — o cluster de melhor desempenho com a maior frequência de oscilador de anel.

O processo de fabricação 18A-P representa não apenas uma melhoria marginal de desempenho, mas inclui avanços técnicos significativos projetados para atrair novos clientes de forma eficaz.À medida que os processos PDK 18A-P e 14A amadurecem, os analistas estão otimistas quanto às perspectivas da Intel de construir relacionamentos mais sólidos com os clientes em suas operações de fundição.

Para obter mais detalhes, consulte as informações compartilhadas pelo Dr. Ian Cutress.

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