Memória ZAM da Intel: Alternativa HBM de baixo consumo e alta densidade recebe apoio significativo do Japão.

A Intel tem notícias animadoras sobre sua iniciativa de memória ZAM, que está sendo desenvolvida em colaboração com a SAIMEMORY, subsidiária da SoftBank. O projeto ganhou impulso significativo recentemente com o apoio do Japão.

Japão acelera o desenvolvimento da memória ZAM em colaboração com a Intel e o SoftBank.

Em um comunicado recente, a Intel Kabushiki Kaisha (Intel KK) e a SAIMEMORY divulgaram que a Organização para o Desenvolvimento de Novas Energias e Tecnologias Industriais do Japão (NEDO) escolheu oficialmente a ZAM — um padrão de memória de ponta concebido como sucessor da High Bandwidth Memory (HBM).

O projeto de desenvolvimento de memória de próxima geração, que estamos promovendo em conjunto com a SAIMEMORY e que foi anunciado no evento anual deste ano, Intel Connection Japan 2026, foi selecionado para receber uma bolsa da NEDO (Organização para o Desenvolvimento de Novas Energias e Tecnologias Industriais).Isso nos permitirá desenvolver a Z-Angle Memory (ZAM), uma arquitetura DRAM empilhada de próxima geração para a era da IA… pic.twitter.com/G8vE17gKb2

— Intel [Oficial] (@IntelJapan) 24 de abril de 2026

Essa aprovação da NEDO significa que o projeto receberá financiamento por meio de subsídios governamentais, acelerando seu avanço para enfrentar os desafios contínuos impostos pela escassez de memória, particularmente nos setores de inteligência artificial (IA) e computação de alto desempenho (HPC).

Lançado no início deste ano, o projeto ZAM visa solucionar a atual crise de memória em parceria com o SoftBank. A ZAM, ou Memória de Ângulo Z, foi projetada para alta densidade, ampla largura de banda e baixo consumo de energia. A iniciativa aproveitará uma rede global de parceiros de tecnologia, manufatura e cadeia de suprimentos, o que é crucial para seu desenvolvimento e comercialização em larga escala.

“A Intel passou anos comprovando a ciência por trás da ZAM, desde os laboratórios nacionais do Departamento de Energia até nossa iniciativa de ligação de DRAM de próxima geração. Acreditamos que este prêmio acelera esse trabalho para implementação global e fortalece o tipo de parceria tecnológica EUA-Japão que será extremamente importante nos próximos anos.” – Makoto Ohno, Presidente da Intel KK

Do ponto de vista técnico, a ZAM (Z-Angle Memory) da Intel promete reduzir o consumo de energia em 40 a 50%, apresentar um design simplificado para facilitar a fabricação e suportar densidades de até 512 GB por chip. Cada pilha de memória ZAM será composta por circuitos integrados de DRAM densamente sobrepostos, interconectados por meio de interconexões em ângulo Z, com a conectividade ao chip de computação principal estabelecida por meio da Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB) situada sob o chip base.

Um slide de apresentação intitulado "Superciclo da IA" destaca as parcerias entre a Intel, o SoftBank e a SAIMEMORY, enfatizando a ZAM (Memória em Ângulo Z) e seus benefícios no design de memória impulsionado por restrições de energia e térmicas. — Créditos da imagem: PCWatch

O lançamento iminente da tecnologia ZAM marca um retorno significativo da Intel ao mercado de memórias após várias décadas. Historicamente, a Intel foi líder na produção de memórias antes de perder terreno para empresas japonesas, e agora, essas mesmas empresas são fundamentais para concretizar a visão da ZAM.

Fonte e imagens