Diretor da Intel relata a importância futura das máquinas EUV de alta NA da ASML na fabricação de chips

Diretor da Intel relata a importância futura das máquinas EUV de alta NA da ASML na fabricação de chips

Observe que este artigo não se destina a ser um conselho de investimento e o autor não possui nenhuma participação em nenhuma das ações aqui discutidas.

Projetos futuros de transistores podem mudar paradigmas na fabricação de semicondutores

De acordo com insights de um diretor da Intel, avanços em projetos futuros de transistores podem reduzir a necessidade crítica de equipamentos litográficos sofisticados na produção de semicondutores de ponta. Atualmente, os sistemas de litografia ultravioleta extrema (EUV) da ASML são fundamentais para a fabricação contemporânea de chips, permitindo que empresas como a TSMC produzam circuitos incrivelmente pequenos em wafers de silício. No entanto, projetos emergentes — como o FET de porta completa (GAAFET) e o FET complementar (CFET) — podem direcionar o foco para processos pós-litografia, diminuindo assim o papel da litografia nessas técnicas avançadas de fabricação.

A evolução do papel da gravação na produção de chips

Em uma conversa compartilhada na plataforma de pesquisa de investimentos Tegus e divulgada nas redes sociais, o diretor anônimo da Intel enfatizou uma mudança notável nos processos de fabricação de semicondutores. O diretor afirma que, à medida que os projetos de transistores evoluem, a importância de equipamentos litográficos avançados pode diminuir, dando mais destaque às tecnologias de gravação. Embora máquinas de litografia EUV e EUV de alta NA sejam frequentemente destacadas — especialmente em um contexto de restrições à exportação — a fabricação de chips abrange uma série de etapas complexas que vão além da litografia.

Compreendendo o fluxo de trabalho de fabricação de chips

O processo de litografia serve como a fase inicial, onde desenhos complexos são impressos na pastilha de silício. Em seguida, outros processos essenciais, incluindo deposição e corrosão, desempenham papéis cruciais. Na deposição, vários materiais são dispostos em camadas sobre a pastilha, enquanto a corrosão é usada para remover seletivamente o excesso de material e delinear os padrões necessários para a formação de transistores e circuitos.

Tecnologias de transistores: GAAFET e CFET

O diretor da Intel destacou como arquiteturas avançadas de transistores, como GAAFET e CFET, poderiam reduzir a dependência de processos litográficos tradicionais. A litografia EUV tem sido fundamental na fabricação de chips na escala de 7 nanômetros e abaixo, graças à sua precisão na impressão de projetos de circuitos minúsculos. A evolução das configurações de transistores — onde os projetos atuais de FinFET se conectam à base isolante, enquanto novos projetos introduzem o enrolamento da porta ao redor do transistor — ilustra essa mudança tecnológica.

Evolução do Transistor
Uma apresentação da TSMC mostrando a evolução dos transistores.

Implicações para estratégias de fabricação

Com os projetos GAAFET e CFET envolvendo os transistores, a remoção do material excedente torna-se cada vez mais vital. Essa abordagem de “envolvimento” exige a remoção lateral do material, mudando as prioridades do mero aprimoramento dos tamanhos das características litográficas para o refinamento das técnicas de gravação. O diretor observa que essa transição implica uma menor dependência de máquinas EUV de alta NA, sugerindo que sua importância pode não corresponder às gerações anteriores de scanners EUV, que foram cruciais para a fabricação de chips de 7 nanômetros.

Essa mudança pode levar a uma nova era na produção de semicondutores, onde a densidade vertical e lateral pode ser alcançada sem um aumento proporcional nas capacidades litográficas. O executivo da Intel conclui que essa evolução na estratégia de fabricação de chips pode redefinir os padrões de desempenho e eficiência do setor.

Para mais detalhes, você pode ler a fonte original aqui.

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