O cenário da memória de alta largura de banda (HBM) está à beira de uma transformação significativa com o desenvolvimento contínuo dos padrões HBM5 e HBM6 de próxima geração, facilitado pelos inovadores conectores TC Bonders.
A Hanmi Semiconductor revela os primeiros conectores TC de grande formato para a tecnologia HBM avançada.
Com a NVIDIA e a AMD se preparando para lançar seus próximos aceleradores de IA este ano, que serão alimentados por memória HBM4 — como a Vera Rubin e a série Instinct MI450 — a pesquisa e o desenvolvimento já estão avançando em direção às próximas versões, HBM5 e HBM6.
Um relatório recente do portal de notícias coreano Heraldcorp indica que a primeira Wide TC Bonder, projetada para os padrões de memória de próxima geração, deverá ser lançada na Exposição de Semicondutores de 2026, na Coreia. Este equipamento servirá como uma alternativa à Hybrid Bonder (HB) para a produção em massa de memória HBM.
A Wide TC Bonder destaca-se pela sua capacidade de aumentar o rendimento de produção para vários padrões HBM, incluindo HBM4, HBM4E, HBM5 e HBM6. Ao contrário da sua antecessora, a Hybrid Bonder, que enfrentou problemas técnicos, a Wide TC Bonder utiliza tecnologia avançada de colagem de precisão para garantir qualidade e confiabilidade superiores durante o processo de produção.
Uma característica particularmente interessante é a sua capacidade de ligação sem fluxo, que minimiza a camada de óxido nas superfícies do chip, aumentando assim a resistência da ligação e, simultaneamente, reduzindo a espessura total do HBM.
HBM5: Projetado para a arquitetura NVIDIA Feynman com lançamento previsto para 2029.
Prevê-se que o padrão HBM5 mantenha uma taxa de dados de 8 Gbps para sua variante Non-e, ao mesmo tempo que aumenta significativamente o número de pistas de E/S para 4096 bits. A largura de banda deverá atingir 4 TB/s por pilha, utilizando um método de empilhamento de 16 elementos (16-Hi).Com a introdução de chips DRAM de 40 Gb, o HBM5 visa uma capacidade robusta de 80 GB por pilha e espera-se que o consumo de energia por pilha chegue a 100 W.
As principais especificações do padrão de memória HBM5 incluem:
- Taxa de dados: 8 Gbps
- Número de entradas/saídas: 4096
- Largura de banda total: 4, 0 TB/s
- Número de pilhas de dados: 16-Hi
- Capacidade do chip: 40 Gb
- Capacidade total de HBM: 80 GB
- Potência por HBM: 100W
- Método de encapsulamento: Microbump (MR-MUF)
- Soluções de resfriamento: Resfriamento por imersão, Via térmica (TTV), Colagem térmica
- Conjunto de chips de capacitores de desacoplamento dedicados
- Chip base HBM personalizado com NMC-HBM 3D e cache empilhado
- LPDDR+CXL no die base
- Compatível com as plataformas NVIDIA Feynman e Instinct MI500.
HBM6: Um grande avanço para a arquitetura de GPUs pós-Feynman
Preparando o terreno para um desempenho ainda maior, espera-se que o HBM6 dobre a largura de banda para impressionantes 8 TB/s, introduzindo capacidades de 48 Gb por chip DRAM. Este padrão também deverá expandir os limites da tecnologia de empilhamento, possivelmente ultrapassando a configuração tradicional de 16 chips (16-Hi) e atingindo até 20 chips (20-Hi).A capacidade de memória prevista por pilha poderá variar entre 96 e 120 GB, com um consumo de energia de 120 W por pilha. Tanto o HBM5 quanto o HBM6 foram projetados para incorporar soluções de resfriamento por imersão, com o HBM6 explorando arquiteturas HBM multi-torre (Ativa/Híbrida), entre outros recursos avançados.
Os principais atributos do padrão de memória HBM6 provavelmente incluirão:
- Taxa de dados: 16 Gbps
- Número de entradas/saídas: 4096
- Largura de banda total: 8, 0 TB/s
- Número de pilhas de matrizes: 16/20-Alto
- Capacidade do chip: 48 Gb
- Capacidade total de HBM: 96/120 GB
- Potência por HBM: 120W
- Método de encapsulamento: Ligação direta Cu-Cu sem saliências
- Soluções de resfriamento: Resfriamento por imersão
- HBMs personalizados de múltiplas torres com interconexões ativas/híbridas
- Switch de rede integrado + placa de ponte
Com a HBM4 prestes a entrar em produção em massa, o impulso em torno da HBM5 e da HBM6 garantirá que esses padrões de memória de próxima geração não apenas atendam, mas superem as expectativas com velocidades aprimoradas e avanços tecnológicos de ponta em relação à HBM4, anunciando uma nova era de desempenho na tecnologia de memória.
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