A jornada rumo à lucratividade do setor de fundição da Samsung depende da atração de uma gama diversificada de clientes para seu avançado processo de fabricação de 2 nm com tecnologia Gate-All-Around (GAA).Atualmente, o Exynos 2600 se destaca como o primeiro System-on-Chip (SoC) a ser produzido em massa utilizando essa litografia de ponta. Notavelmente, a Tesla firmou uma importante parceria multimilionária com a Samsung como parte desse empreendimento. Relatórios recentes, no entanto, destacam que duas empresas chinesas estão prestes a encomendar chips GAA de 2 nm da Samsung para seus futuros produtos de mineração de criptomoedas, indicando progresso na estratégia da Samsung, embora ela ainda enfrente forte concorrência da líder do setor, a TSMC.
A Bitmain continua cética em relação aos chips GAA de 2nm da Samsung, mas mantém parceria com a TSMC.
Segundo a fonte de notícias coreana Hankyung, as duas empresas chinesas que estão se aventurando no uso da tecnologia GAA de 2nm da Samsung são a MicroBT e a Canaan. Essas empresas ocupam a segunda e a terceira posição, respectivamente, entre as maiores fabricantes do setor de mineração de criptomoedas, enquanto a Bitmain ocupa a primeira posição. Apesar dos pedidos emergentes da MicroBT e da Canaan, a Bitmain ainda não firmou parceria com a Samsung, preferindo manter sua colaboração com a TSMC. Essa preferência provavelmente decorre da reputação da TSMC por entregas pontuais, acesso à tecnologia de ponta e sua comprovada capacidade de gerenciar desafios de produção, incluindo altas taxas de rendimento — uma área em que a nova tecnologia GAA da Samsung ainda precisa ser validada.
A fase de produção dos pedidos da MicroBT já começou, enquanto a Canaan pretende iniciar a produção de seus primeiros chips de silício no início de 2026, com entregas previstas para o segundo semestre do próximo ano. Os pedidos de ambas as empresas serão fabricados na unidade S3 da Samsung em Hwaseong, província de Gyeonggi.
Os pedidos atuais representam aproximadamente 10% da capacidade total de produção de 2 nm da Samsung, que opera a uma taxa de cerca de 2.000 wafers de 300 mm (12 polegadas) por mês. Embora esse volume possa parecer modesto, ele ressalta o compromisso da Samsung em competir diretamente com a TSMC. A empresa está buscando ativamente todas as oportunidades para expandir sua base de clientes para essa litografia de última geração.
Em uma atualização anterior, foi mencionado que amostras do Snapdragon 8 Elite Gen 5, fabricado no processo de 2 nm, foram enviadas à Qualcomm para testes. A expectativa é que uma estratégia de fornecimento duplo envolvendo a Samsung só se concretize com o lançamento do Snapdragon 8 Elite Gen 6, previsto para o final de 2026. Para acompanhar a TSMC, a Samsung teria concluído o projeto fundamental de seu processo GAA de 2 nm de segunda geração e também está progredindo no desenvolvimento de uma terceira iteração, denominada SF2P+.
A estratégia de fabricação da Samsung para a tecnologia GAA de 2 nm inclui planos para sua unidade em Taylor, Texas. Relatórios recentes indicam que a ASML está montando uma equipe para facilitar a instalação dos equipamentos necessários para a produção de wafers de próxima geração. Com essa configuração, a fábrica do Texas deverá atingir uma capacidade de produção superior a 15.000 wafers mensais até 2027.
Para mais detalhes, consulte a fonte: Hankyung
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