A Samsung adia indefinidamente a produção de memória HBM5E devido ao baixo desempenho da DRAM D1d.

A tecnologia de ponta 1D DRAM da Samsung (7ª geração, 10 nm), projetada para futuras soluções de memória de alta largura de banda (HBM), enfrenta desafios que podem atrasar sua entrada em produção devido a taxas de rendimento insatisfatórias.

Atrasos na produção da memória HBM5E de próxima geração da Samsung.

Segundo um relatório recente do IT Chosun, a Samsung está reconsiderando a produção em massa de sua DRAM 1D “D1d”, baseada na avançada tecnologia de processo de 10nm, devido ao baixo rendimento. Essa situação pode levar a gigante da tecnologia a suspender os planos para suas soluções HBM de próxima geração.

Embora a tecnologia DRAM já tivesse obtido aprovação de pré-produção (PRA), surgiram preocupações em relação ao retorno do investimento (ROI) para iniciar uma fase de testes ou avançar para a fabricação em larga escala, principalmente porque os rendimentos reais não atendem às metas estabelecidas.

“A Samsung Electronics planeja adiar a produção em massa indefinidamente até que o rendimento do chip D1d atinja o nível desejado e, até o momento, a data de retomada não foi definida”, observou uma fonte com conhecimento interno das operações da Samsung.“Eles estão focados em aumentar ainda mais o rendimento, reexaminando completamente o planejamento do processo.”

Tradução automática via IT Chosun

O sucesso da tecnologia DRAM D1d da Samsung é crucial para o futuro planejamento de sua memória HBM, particularmente para a esperada HBM5E, a solução HBM de 9ª geração que a empresa deverá lançar.

Imagem em close-up de um chip semicondutor da Samsung exibindo uma grade com contatos dourados. — Créditos da imagem: Samsung

Atualmente, a tecnologia DRAM de 1 núcleo é utilizada em três gerações de HBM: HBM4, HBM4E e HBM5. O lançamento do HBM4 está previsto para o final deste ano, principalmente para alimentar as plataformas Vera Rubin da NVIDIA e MI400 da AMD, enquanto o HBM4E provavelmente dará suporte aos aceleradores Rubin Ultra e MI500. Além disso, prevê-se que o HBM5 e designs personalizados sejam adotados na série Feynman da NVIDIA e em outras ofertas da concorrência.

Recentemente, foi noticiado que a Samsung pretende reduzir significativamente seu ciclo de desenvolvimento de HBM. Embora essa estratégia possa acelerar a preparação de novas soluções de HBM, ela não garante que elas estarão totalmente prontas para produção. A diferenciação entre a fase de desenvolvimento e o ciclo de produção destaca a prontidão para produção como um potencial gargalo — um ponto enfatizado na análise mais recente.

Além disso, a Samsung Electronics investiu recursos substanciais na construção de uma ampla fábrica de chips em Onyang, na Coreia do Sul. Essa instalação, com tamanho comparável a quatro campos de futebol, produzirá produtos DRAM de última geração, incluindo HBM. Ela será responsável por todas as etapas da produção — desde a embalagem e os testes até a logística e o controle de qualidade — garantindo um alto padrão para as atividades de produção contínuas.

[EXCLUSIVO] A Samsung Electronics construirá uma nova fábrica de semicondutores do tamanho de “4 campos de futebol” em Onyang…para se tornar um importante centro de processos de back-end. A Samsung Electronics está reestruturando sua posição competitiva em HBM (Memória de Alta Largura de Banda) para processos de back-end.pic.twitter.com/WFZdao3MVI

-Jukan (@ jukan05) 21 de abril de 2026

No cenário de semicondutores em rápida evolução, as empresas estão competindo por parcerias significativas com as principais empresas de IA. A chave para o sucesso reside na diversificação das estratégias de fabricação a quente (HBM) e na garantia de planos de desenvolvimento e produção consistentes, mantendo rendimentos satisfatórios e um sólido retorno sobre o investimento (ROI).

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