Samsung opóźnia produkcję pamięci HBM5E na czas nieokreślony z powodu niezadowalającej wydajności pamięci DRAM D1d

Najnowocześniejsza pamięć DRAM 1d (7.generacja 10 nm) firmy Samsung, zaprojektowana z myślą o przyszłych rozwiązaniach High Bandwidth Memory (HBM), musi zmierzyć się z wyzwaniami, które mogą opóźnić jej wprowadzenie do produkcji ze względu na niezadowalające wskaźniki wydajności.

Opóźnienia w produkcji pamięci HBM5E nowej generacji firmy Samsung

Według najnowszego raportu IT Chosun, Samsung rozważa ponowne rozważenie masowej produkcji swojej pamięci DRAM 1d „D1d”, opartej na zaawansowanej technologii procesowej 10 nm, ze względu na jej niską wydajność. Sytuacja ta może skłonić giganta technologicznego do wstrzymania planów dotyczących rozwiązań HBM nowej generacji.

Chociaż technologia DRAM uzyskała już wcześniej zatwierdzenie przedprodukcyjne (PRA), pojawiły się obawy dotyczące zwrotu z inwestycji (ROI) w przypadku rozpoczęcia próbnego cyklu produkcyjnego lub przejścia do produkcji na pełną skalę, głównie dlatego, że rzeczywista wydajność nie spełnia założonych celów.

„Samsung Electronics planuje odroczyć masową produkcję na czas nieokreślony, dopóki wydajność D1d nie osiągnie docelowego poziomu. Jak dotąd data wznowienia nie została ustalona” – zauważyło źródło z wiedzą poufną na temat działalności Samsunga.„Firma koncentruje się na dalszym zwiększaniu wydajności poprzez gruntowną rewizję planu działania”.

Tłumaczenie maszynowe za pośrednictwem IT Chosun

Sukces technologii DRAM D1d firmy Samsung ma kluczowe znaczenie dla przyszłego rozwoju pamięci HBM, zwłaszcza w przypadku oczekiwanego rozwiązania HBM5E — dziewiątej generacji pamięci HBM, które ma powstać w tej firmie.

Zbliżenie układu scalonego Samsunga przedstawiające siatkę ze złotymi stykami. — Źródło obrazu: Samsung

Obecnie technologia DRAM 1c jest wykorzystywana w trzech generacjach pamięci HBM: HBM4, HBM4E i HBM5. Wprowadzenie pamięci HBM4 jest spodziewane jeszcze w tym roku, głównie w platformach Vera Rubin firmy NVIDIA i MI400 firmy AMD, podczas gdy HBM4E prawdopodobnie będzie obsługiwać akceleratory Rubin Ultra i MI500. Ponadto, przewiduje się, że pamięć HBM5 i projekty niestandardowe zostaną zastosowane w serii Feynman firmy NVIDIA i innych konkurencyjnych produktach.

Niedawno pojawiły się doniesienia, że Samsung zamierza znacząco skrócić cykl rozwoju HBM. Chociaż strategia ta może przyspieszyć przygotowywanie nowych rozwiązań HBM, nie gwarantuje ich pełnej gotowości do produkcji. Rozróżnienie między fazą rozwoju a cyklem produkcyjnym wskazuje na fakt, że gotowość produkcyjna stanowi potencjalne wąskie gardło – co podkreślono w najnowszej analizie.

Ponadto Samsung Electronics przeznaczył znaczne środki na budowę rozległego zakładu produkcji układów scalonych w Onyang w Korei Południowej. Ten zakład, którego powierzchnia jest porównywalna z czterema boiskami piłkarskimi, ma produkować pamięci DRAM nowej generacji, w tym HBM. Będzie on zajmował się wszystkimi etapami produkcji – od pakowania i testowania, po logistykę i kontrolę jakości – zapewniając wysoki standard bieżącej działalności produkcyjnej.

[WYŁĄCZNIE] Samsung Electronics zbuduje nową fabrykę półprzewodników wielkości „4 boisk piłkarskich” w Onyang… aby stać się centralnym centrum procesów zaplecza. Samsung Electronics restrukturyzuje swoją pozycję konkurencyjną w obszarze pamięci o dużej przepustowości (HBM) w kierunku procesów zaplecza.pic.twitter.com/WFZdao3MVI

— Jukan (@jukan05) 21 kwietnia 2026 r

W dynamicznie rozwijającym się sektorze półprzewodników firmy zabiegają o znaczące partnerstwa z czołowymi firmami z branży sztucznej inteligencji (AI).Kluczem do sukcesu jest dywersyfikacja strategii HBM oraz zapewnienie spójnych planów rozwoju i produkcji, przy jednoczesnym utrzymaniu satysfakcjonujących wyników i solidnego zwrotu z inwestycji (ROI).

Źródło i obrazy