Samsung Exynos 2600 kontra Qualcomm Snapdragon 8 Elite Gen 5: wydajność Vulkan Benchmark w Geekbench

Oczekiwania związane z układem Samsung Exynos 2600 stale rosną, ponieważ ma on zadebiutować w nadchodzącej serii Galaxy S26. Najnowsze testy porównawcze wskazują, że układ ten może być groźnym konkurentem w segmencie przetwarzania mobilnego.

Exynos 2600 konkuruje bezpośrednio ze Snapdragonem 8 Elite Gen 5 firmy Qualcomm

Według najnowszych ocen, Exynos 2600 uzyskał wynik Vulkan na poziomie 27 478 w Geekbench. Wynik ten plasuje się tuż za Snapdragonem 8 Elite Gen 5 firmy Qualcomm, który uzyskał wynik 27 875 w Redmagic 11 Pro. Wyniki sugerują niemal identyczną wydajność obu układów w obsłudze aplikacji Vulkan.

Co więcej, analiza wyników Geekbench 6 OpenCL wykazała, że ​​Exynos 2600 charakteryzuje się imponującą spójnością wydajności, a różnice w wynikach GPU Xclipse 960 wyniosły zaledwie 3, 4%.Ta stabilność jest godna uwagi, zwłaszcza że Snapdragon 8 Elite Gen 5 do tej pory nie wykazał podobnej spójności w swoich parametrach wydajności.

Co ciekawe, Galaxy S25+ z procesorem Exynos 2600 niedawno uzyskał w teście Geekbench 6 OpenCL lepszy wynik niż Galaxy Book4 Edge, który wykorzystuje Snapdragon X Elite — zwykle uważany za chipset o wysokiej wydajności — co wskazuje, że Exynos 2600 przerasta oczekiwania.

Dla osób niezaznajomionych ze specyfikacją techniczną: Exynos 2600 stanowi znaczący postęp dla Samsunga, ponieważ jest pierwszym procesorem wykorzystującym architekturę Gate-All-Around (GAA) w procesie technologicznym 2 nm. Ta innowacyjna konstrukcja tranzystora 3D zapewnia lepszą kontrolę elektrostatyczną poprzez pełne otoczenie kanału przewodzącego pionowo ułożonymi nanopłytkami, co skutecznie obniża zapotrzebowanie na napięcie.

Co więcej, Exynos 2600 jest napędzany przez procesor graficzny Xclipse 960, który wykorzystuje dostosowaną wersję architektury RDNA 4 firmy AMD, co stanowi istotny krok naprzód w zakresie możliwości przetwarzania grafiki.

Co więcej, jak szczegółowo opisaliśmy we wcześniejszym artykule, ten chipset jest nie tylko pierwszym, który wykorzystuje technologię Fan-out Wafer Level Packaging (FOWLP), ale także integruje technologię Samsung Heat Pass Block (HPB).Ten miedziany radiator łączy się bezpośrednio z rdzeniem układu scalonego, co przekłada się na znaczącą poprawę rezystancji termicznej o 16%.

W miarę jak będziemy patrzeć w przyszłość, konkurencja między tymi dwoma potężnymi układami będzie się tylko zaostrzać, zwłaszcza że nadchodzące testy porównawcze ujawnią więcej informacji na temat ich możliwości w grach i wydajności.

Źródło i obrazy