Intel nawiązuje współpracę z SoftBank, aby powrócić na rynek pamięci w obliczu ciągłych niedoborów

Firma Intel strategicznie pozycjonuje się, aby wykorzystać rosnący popyt na pamięć DRAM, współpracując ze spółką zależną SoftBank w celu wprowadzenia przełomowej technologii pamięci znanej jako „ZAM”.Inicjatywa ta pojawia się w momencie, gdy rozprzestrzenianie się infrastruktury sztucznej inteligencji (AI) doprowadziło do bezprecedensowego wzrostu zapotrzebowania na pamięć DRAM, szczególnie wśród firm zajmujących się hiperskaleracją i producentów półprzewodników.

Większa efektywność energetyczna dzięki modułom pamięci ZAM firmy Intel

Globalny łańcuch dostaw pamięci doświadcza znacznych ograniczeń ze względu na ograniczoną dostępność od obecnych dostawców, co podkreśla pilną potrzebę wejścia na rynek nowych podmiotów. W tym kontekście Intel jest pionierem nowego przedsięwzięcia w dziedzinie pamięci. Firma nawiązała współpracę z Saimemory należącym do SoftBank w celu opracowania nowego standardu o nazwie Z-Angle Memory (ZAM).

Początkowe prace rozwojowe nad technologią pamięci ZAM wynikają z programu Advanced Memory Technology (AMT) zainicjowanego przez Departament Energii USA. W ramach tego procesu firma Intel zaprezentowała swoje najnowocześniejsze rozwiązania w zakresie łączenia dla pamięci DRAM nowej generacji. Chociaż zapowiedzi SoftBank nie wnikają w szczegóły dotyczące konkretnego pozycjonowania pamięci ZAM, analiza strategii łączenia Intela sugeruje, że ZAM prawdopodobnie będzie wykorzystywać schodkową topologię połączeń, ułatwiając połączenia diagonalne w poprzek stosu rdzenia zamiast konwencjonalnego wiercenia pionowego.

Standardowe architektury pamięci nie są w stanie sprostać wymaganiom sztucznej inteligencji. NGDB definiuje zupełnie nowe podejście, które przyspieszy nasze przejście w kolejną dekadę.

Przeprojektowujemy sposób organizacji pamięci DRAM, aby fundamentalnie udoskonalić architekturę systemów komputerowych. Naszym celem jest osiągnięcie znaczącej poprawy wydajności i włączenie innowacji do standardów branżowych.

– Przedstawiciele firmy Intel o łączeniu pamięci DRAM nowej generacji

Projekt pamięci Z-Angle zakłada wykorzystanie większej sekcji krzemu w komórkach pamięci, co pozwala na zwiększenie gęstości i jednocześnie zmniejszenie oporu cieplnego. To innowacyjne podejście może obejmować hybrydowe techniki łączenia miedź-miedź, umożliwiając bardziej wydajne połączenia między warstwami i skuteczniejsze tworzenie spójnego bloku krzemowego zamiast oddzielnych stosów. Ponadto, ZAM ma być konstrukcją bezkondensatorową, integrującą technologię Intel Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB) dla płynnej łączności między pamięcią a procesorami AI.

Oznaczony diagram zatytułowany „Szczegółowa architektura pamięci ZAM” przedstawia wielowarstwowy układ scalony krzemu z miedzianym kątem Z — Źródło obrazu: Wccftech (wygenerowane przez sztuczną inteligencję)

Współpraca SoftBanku i Intela ma zapewnić tej ostatniej kontrolę nad technologią stosu pamięci, co potencjalnie pozwoli na udoskonalenie niestandardowych układów scalonych ASIC (Application-Specific Integrated Circuits), w tym serii Izanagi. Chociaż dokładne parametry wydajności porównujące ZAM z pamięcią o dużej przepustowości (HBM) pozostają nieujawnione, wstępne dane sugerują, że konstrukcja Z-Angle może zaoferować:

40-50% redukcja zużycia energii
Usprawniona produkcja dzięki połączeniom kątowym Z
Zwiększona pojemność pamięci na chip (do 512 GB)

To znaczący powrót Intela do sektora pamięci DRAM, ponieważ gigant technologiczny działał na tym rynku do 1985 roku, kiedy to wycofał się z powodu zaostrzenia konkurencji ze strony japońskich firm. Biorąc pod uwagę obecną dynamikę rynku i ogromny potencjał w sektorze pamięci, ciekawie będzie obserwować, jak technologia ZAM firmy Intel będzie się rozwijać i czy zyska popularność wśród liderów branży, w tym głównych graczy, takich jak NVIDIA.

Źródło i obrazy