대만 반도체 대기업 TSMC는 고개수(High-NA) 극자외선(EUV) 리소그래피 기술을 서둘러 도입하지 않을 것으로 보입니다.최근 동향을 보면 TSMC는 향후 A14 칩 생산에 이 최첨단 방식을 포기하고 기존 방식을 사용할 계획인 것으로 보입니다.
TSMC의 전략적 전환: 고NA EUV보다 기존 기술 강조
TSMC는 역사적으로 반도체 기술 발전의 선두에 있었으며, 혁신적인 기술로 업계를 선도하는 경우가 많았습니다.그러나 최근 나노기술 심포지엄에서 TSMC의 케빈 장 수석 부사장은 A14 공정에 고개수(NA) EUV 리소그래피를 도입하지 않을 것이라고 발표했습니다.대신, 기존 0.33개수 EUV 기술을 사용할 것이라고 밝혔습니다.이러한 변화로 TSMC는 최신 리소그래피 장비를 도입한 인텔 파운드리(Intel Foundry)와 같은 경쟁사보다 뒤처지게 되었습니다.
TSMC는 2028년에 생산이 시작될 예정인 A14 칩의 패터닝에 고 NA EUV 리소그래피를 사용하지 않을 것입니다.2나노미터에서 A14까지는 고 NA를 사용할 필요는 없지만, 처리 단계 측면에서 유사한 복잡성을 계속 유지할 수 있습니다.
기술의 발전에 따라 마스크 착용 횟수를 최소화하기 위해 노력하고 있습니다.이는 비용 효율적인 솔루션을 제공하는 데 매우 중요합니다.
– TSMC의 케빈 장
TSMC의 결정에 영향을 준 주요 요인은 고개수 EUV 도입과 관련된 생산 비용의 상당한 증가입니다.보고서에 따르면 고개수 EUV 리소그래피를 사용하면 기존 EUV 방식에 비해 최대 2.5배까지 비용이 증가할 수 있습니다.이러한 급격한 비용 증가는 A14 공정의 비용을 엄청나게 증가시켜 소비자 제품 내 통합을 더욱 복잡하게 만들 것입니다.
상황을 더욱 복잡하게 만드는 것은 A14 칩 설계의 특성으로, 각 레이어마다 여러 개의 마스크가 필요합니다.고개구수(NA) 리소그래피를 구현하면 투자 수익률(ROI)은 제한적이지만 비용은 증가할 것입니다. TSMC는 대신 0.33개구수 EUV 방식에 집중하고 있습니다.이 전략을 통해 TSMC는 다중 패터닝 기술을 활용하여 설계 복잡성을 유지하면서도 전체 생산 비용을 절감할 수 있습니다.
흥미롭게도, TSMC가 고개수(NA) EUV 도입을 꺼리는 것은 경쟁에서 불리한 위치에 놓이게 합니다.인텔 파운드리는 이르면 내년에 출시될 예정인 18A 공정에 고개수 기술을 활용할 준비가 되어 있는 것으로 알려졌습니다.이를 통해 인텔은 2029년 A14P 노드를 계획하고 있는 TSMC보다 기술적으로 우위를 점할 수 있으며, 고개수 리소그래피 도입을 최소 4년 늦추는 효과를 얻을 수 있습니다.이러한 전략적 선택은 인텔을 비롯한 경쟁사들에게 반도체 시장에서 상당한 우위를 제공할 수 있습니다.
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