TSMC의 2nm 제조 공정 전환은 기존 극자외선(EUV) 리소그래피 장비 덕분에 가능했으며, 이를 통해 고수율 웨이퍼 생산이 가능해졌습니다.그러나 TSMC가 2nm 이하 노드, 특히 1.4nm(A14) 및 1nm(A10) 기술로의 추가 발전을 모색함에 따라, TSMC는 심각한 엔지니어링 과제에 직면하게 되었습니다. ASML의 최첨단 고개수(High-NA) EUV 장비를 인수하면 이러한 문제를 해결할 수 있겠지만, 최근 보고서에 따르면 TSMC는 포토마스크 펠리클을 선택했습니다.
비용 효율적인 포토마스크 펠리클: TSMC의 전략적 선택
TSMC는 2025년 말까지 2nm 웨이퍼의 본격 생산을 시작하고, 이후 2028년에는 1.4nm 노드로 전환할 것으로 예상합니다.이 회사는 이미 약 1조 5천억 대만 달러(약 490억 달러)를 투자하여 이 첨단 제조 여정을 가속화했으며, 여기에는 신주 공장에 EUV 장비 30대를 조달하는 것도 포함됩니다.
ASML의 고개수 EUV 장비(대당 4억 달러에 달하며 1.4nm 및 1nm 칩 제조의 효율성과 신뢰성 향상을 위해 설계됨)의 잠재적 이점에도 불구하고 TSMC는 투자를 꺼리는 것으로 보입니다.댄 니스테트와 커머셜 타임스의 업계 분석에 따르면, TSMC는 이 장비 도입에 따른 재정적 영향이 주장된 이점을 정당화하지 못한다고 생각합니다.대신, 이 반도체 대기업은 먼지 및 기타 미세먼지로 인한 오염을 방지하기 위해 포토마스크 펠리클을 생산 공정에 통합하는 데 주력하고 있습니다.
이러한 접근 방식은 경제적으로는 유리하지만, 자체적인 복잡성을 야기합니다.1.4nm 및 1nm 공정에 표준 EUV 기술을 적용하면 노광 시간이 길어져 포토마스크 사용이 더 빈번해집니다.이러한 광범위한 사용은 수율 저하에 대한 우려를 야기합니다.따라서 클린룸 기준을 유지하고 성공적인 제품 생산을 보장하기 위해 펠리클 구현이 매우 중요합니다.
TSMC는 자사 전략에 자신감을 보이고 있으며, 펠리클을 고개수 EUV 장비의 높은 가격에 대한 합리적인 대안으로 보고 있습니다.또 다른 고려 사항은 생산 능력입니다. ASML은 연간 고개수 EUV 장비를 5~6대만 생산할 수 있습니다. TSMC가 애플과 같은 주요 기업을 포함한 고객사의 증가하는 수요를 충족하기 위해 표준 EUV 장비 30대를 추가로 확보해야 하는 상황에서, 고개수 EUV 장비에 대한 대규모 투자는 장기적인 목표 달성에 부합하지 않을 수 있습니다.
요약하자면, TSMC가 값비싼 고 NA EUV 장비에 투자하는 대신 포토마스크 펠리클을 활용하기로 한 결정은 빠르게 변화하는 반도체 환경에서 비용, 효율성, 적응성 간의 계산된 균형을 반영한 것입니다.
뉴스 출처: Commercial Times
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