최근 업데이트에 따르면 TSMC는 향후 출시될 A14 칩 제조 공정에 고개수(NA) EUV 리소그래피를 통합하지 않을 것으로 보입니다.대신, 이 반도체 대기업은 기존의 0.33개수 EUV 기술을 활용할 계획입니다.
TSMC의 전략적 전환: 고NA EUV보다 기존 기술 우선
TSMC는 오랫동안 반도체 혁신의 선두주자로 인정받아 왔으며, 업계의 기준을 자주 제시해 왔습니다.그러나 최근 NA 기술 심포지엄에서 TSMC의 케빈 장 수석 부사장은 A14 제조 공정에서 고개방 EUV 리소그래피를 포기하기로 결정했다고 밝혔습니다.이러한 결정은 기존 기술에 대한 의존도를 시사하며, 인텔 파운드리와 일부 DRAM 제조업체가 경쟁 우위를 확보할 수 있는 발판이 될 수 있습니다.
TSMC는 2028년에 생산이 시작될 예정인 A14 칩의 패터닝에 고 NA EUV 리소그래피를 사용하지 않을 것입니다.2나노미터에서 A14까지는 고 NA를 사용할 필요는 없지만, 처리 단계 측면에서 유사한 복잡성을 계속 유지할 수 있습니다.
기술의 발전에 따라 마스크 착용 횟수를 최소화하기 위해 노력하고 있습니다.이는 비용 효율적인 솔루션을 제공하는 데 매우 중요합니다.
– TSMC의 케빈 장
이번 결정은 TSMC가 끊임없이 변화하는 반도체 기술 환경에 적응하면서 생산 공정의 효율성과 비용 효율성을 유지하려는 의지를 보여주는 것입니다.이러한 결정은 반도체 산업의 경쟁 구도에 상당한 영향을 미칠 수 있습니다.
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