TSMC의 첨단 리소그래피 기술 전환은 정교한 극자외선(EUV) 장비 도입에 달려 있습니다.이러한 최첨단 시스템은 불량률을 최소화하면서 2nm 웨이퍼를 신속하게 생산하는 데 필수적입니다.올해 초 TSMC는 이 혁신적인 제조 공정에 대한 주문을 받기 시작했으며, 미디어텍은 2025년 4분기까지 첫 2nm 칩셋의 테이프아웃을 시작할 계획입니다.그러나 2nm 이하 영역으로 진출하려면 뛰어난 장비 사용이 필수적입니다. ASML의 높은 개구수(NA) 기술은 이러한 복잡한 제조 작업을 해결하는 데 필수적인 것으로 여겨집니다.그러나 최근 보고서에 따르면 TSMC는 이처럼 고가의 장비 도입에 여전히 주저하고 있는 것으로 나타났습니다.
EUV 장비 관련 높은 비용이 TSMC에 과제를 안겨줍니다.
TSMC가 도입한 최첨단 EUV 시스템은 상당한 재정적 투자를 필요로 하며, ASML의 최신 NA 기술 비용의 거의 절반에 달합니다. TSMC는 2nm 공정이 향후 몇 년 안에 성숙 단계에 도달할 것으로 예상하며, 전력 소비량을 30%나 절감하도록 설계된 1.4nm 노드 개발에 집중하고 있는 것으로 알려졌습니다. A14 또는 14Å(14-Angstrom)로 불리는 이 기술은 2028년 양산을 시작할 예정입니다.이 첨단 리소그래피 기술은 최첨단 장비, 특히 ASML의 고NA(High-NA) 시스템에 의존할 가능성이 높습니다.그럼에도 불구하고 로이터 통신에 따르면 TSMC는 현재 이러한 투자의 필요성을 검토하고 있습니다.
TSMC의 수석 부사장인 케빈 장은 최근 회사의 첨단 노드 개발 계획에 대해 언급하며 ASML의 프리미엄 장비에 4억 달러를 할당해야 하는 상황에 의문을 제기했습니다.그는 현재 가격 정책으로는 업그레이드를 정당화할 만한 충분한 근거가 없다고 지적했습니다. TSMC는 운영 최적화를 위해 기존 EUV 기술을 효과적으로 활용하여 현재 장비에서 최대한의 가치를 창출해 왔습니다.
기존 하드웨어가 최신 리소그래피 공정에 적합한 성능을 유지하는 한, TSMC는 주요 구매를 연기할 수 있습니다.한편, ASML은 경쟁력 강화를 원하는 다른 고객사들을 확보하고 있습니다. ASML은 이미 삼성을 포함한 여러 고객사에 고개방형(High-NA) 장비 5대를 공급했습니다.특히 삼성은 2029년까지 양산을 목표로 1nm 공정에 집중하는 전담팀을 구성한 것으로 알려졌습니다.
TSMC가 궁극적으로 고개방형(High-NA) 장비에 투자할지 여부는 아직 불확실합니다.그러나 TSMC는 수년간 업계 선두 자리를 성공적으로 유지해 왔으며, 이는 경쟁 우위를 유지하기 위해 효과적인 전략을 활용하고 있음을 시사합니다.
뉴스 출처: 로이터
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