SK하이닉스, GTC 2025에서 차세대 메모리 솔루션 공개
SK하이닉스는 혁신적인 12-Hi HBM3E 및 SOCAMM 메모리 제품과 세계 최초의 12-Hi HBM4 메모리 샘플을 발표하면서 화제를 모았습니다.이러한 개발은 특히 AI 및 데이터 센터 분야에서 고급 컴퓨팅 하드웨어를 위한 고성능 메모리 솔루션의 한계를 뛰어넘기 위한 회사의 지속적인 노력의 일환으로 이루어졌습니다.
3월 17일부터 3월 21일까지 캘리포니아주 산호세에서 진행되는 GTC 2025 행사에서 선보일 예정인 We Hynix의 최신 제품은 고성능 컴퓨팅의 풍경을 바꿀 것을 약속합니다.
AI 메모리 기술의 발전
삼성과 마이크론과 같은 거대 기업이 주도하는 경쟁이 치열해지는 시장에서, We Hynix는 NVIDIA의 강력한 AI 프로세서를 위한 SOCAMM(Small Outline Compression Attached Memory Module)을 생산하여 경쟁을 강화했습니다. CAMM 메모리 표준에서 파생된 기술을 활용한 새로운 SOCAMM은 AI 워크로드에 대한 메모리 용량과 성능을 크게 향상시키도록 설계된 저전력 DRAM 솔루션을 제공합니다.
특히 GB300 AI 칩과 관련된 NVIDIA와의 협력을 통해 Hynix는 경쟁사에 비해 강력한 입지를 확보하고 두 회사 모두 집약적 AI 프로세스를 효율적으로 처리할 수 있는 역량을 강화할 수 있습니다.
GTC 2025에 참석한 주요 리더십
GTC 행사에서 하이닉스의 임원진은 곽노정 대표이사, 김주선 사장, 이상락 글로벌 S&M부문장 등 주요 인물을 포함한 최신 발전상을 발표할 예정입니다.
SK하이닉스는 하반기에 12단 HBM4 제품의 양산을 위한 준비를 완료해 차세대 AI 메모리 시장에서의 입지를 강화할 계획이다.
전시된 12단 HBM4 샘플은 AI 메모리 제품에 필수적인 업계 최고의 용량과 속도를 자랑합니다.
이 획기적인 제품은 최초로 초당 2테라바이트 이상의 데이터를 처리할 수 있는 대역폭을 달성하여, 단 1초 만에 400편 이상의 풀 HD 영화(각각 5GB)를 전송할 수 있으며, 이전 제품인 HBM3E보다 60% 이상 빠른 속도를 자랑합니다.
또한, We Hynix는 첨단 MR-MUF 공정을 활용하여 36GB의 전례 없는 용량을 보장하여 12단 HBM 제품 중 가장 높은 수준을 기록했습니다.이 공정은 제품 안정성을 향상시킬 뿐만 아니라 칩 휘어짐을 완화하여 더 나은 방열을 촉진합니다.
미래 전망: 대량 생산 및 개발 계획
We Hynix는 현재 개발 중인 최첨단 12-Hi HBM4 메모리를 선보이는 것 외에도 NVIDIA를 포함한 주요 고객을 대상으로 이 메모리를 Rubin 시리즈 GPU에 통합할 계획입니다.12-Hi HBM4는 스택당 최대 36GB를 제공하고 인상적인 데이터 전송 속도는 2TB/s에 달합니다.
이 첨단 메모리 솔루션의 양산은 2025년 하반기에 시작될 것으로 예상되며, 최첨단 성능과 효율성을 달성하기 위해 TSMC의 3nm 공정 노드를 활용할 예정입니다.
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